金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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ECR-MBE法により多結晶Mo基板上に、多結晶のGaNを成長した。この多結晶GaNを原子間力顕微鏡(AFM)で観察すると、Mo基板上多結晶GaNは300〜600nmのサイズのグレイン構造を示し、それらグレインの先端部、またはエッジ部などにおいて突起していることがわかった。またGaNとMo界面はオーミック接合を示した。このMo基板上に成長した多結晶GaNのフィールドエミッション(FE)特性を測定したところ、引き抜き電界22V/μmで最大電流密度260μA/cm^2、また10.6V/μm(1mA)という低いしきい電界を持つエミッション特性が得られた。このような低いしきい電界は、GaNとMo界面のオーミック接合や、グレイン突起部での電界集中によるものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-08
著者
-
橋本 政彦
阪大産研
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
阪大産研
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
山中 隆幸
大阪大学産業科学研究所
-
反保 衆志
大阪大学産業科学研究所
-
橋本 政彦
大阪大学産業科学研究所
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