低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
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概要
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GaNリッチGaNPをガスソースMBE法により(0001)サファイア基板上に成長した。GaNPのP組成はPH_3流量にはあまり依存しないが、成長温度の低下と共に増加することがわかった。得られた最大のP組成は0.08であり、このときのバンドギャップエネルギーは2.76eVであった。これは、青紫色は波長領域に対応する。バンドギャップエネルギーのP組成依存性は、成長温度750℃で成長したGaNP同様の大きなボーイングをおこし、そのボーイングパラメータは、9.31eVであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
反保 衆志
大阪大学産業科学研究所
-
浅見 久美子
阪大・産研
-
権田 俊一
阪大・産研
-
浅見 久美子
大阪大学産業科学研究所
-
権田 俊一
大阪大学産業科学研究所
-
岩田 拡也
大阪大学産業科学研究所
-
広木 正伸
大阪大学産業科学研究所
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