新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
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概要
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III族元素としてタリウム(Tl)を加えた新III-V族化合物半導体であるTlInGaP混晶を提案し、そのガスソース分子線エピタキシャル成長について報告する。TlInGaPは半金属のTlPと半導体のInGaPから構成される混晶材料で、1μm帯及び2〜10μm以上での光デバイス用材料として有望であり、かつ温度不変のバンドギャップの実現が期待される材料である。本論文では、TlInGaPに予想される特性と、結晶成長および結晶性評価を行った結果について記述する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-11
著者
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
浅見 久美子
阪大・産研
-
権田 俊一
阪大・産研
-
浅見 久美子
大阪大学産業科学研究所
-
権田 俊一
大阪大学産業科学研究所
-
岩田 拡也
大阪大学産業科学研究所
-
高 秀樹
大阪大学産業科学研究所
-
尾江 邦重
NTT光エレクトロニクス研究所
-
鮒子田 昌広
大阪大学産業科学研究所
-
山本 和彦
大阪大学産業科学研究所
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