電界吸収型変調器を集積した半導体素子による 100Gbit/s パルス発生
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概要
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InGaAsP歪量子井戸を用いて電界吸収型光変調器を集積した能動モード同期レーザと光時分割多重回路を作製した.モード同期レーザにより20 GHzの繰り返し周波数で2.6 ps の幅の短光パルスが得られた.このパルス列を5つの長さの異なる導波路より構成された多重回路に結合することで100 GHzのパルス列が得られた.また,各導波路上に集積された変調器を駆動することにより,部分的に符号化された100 Gbit/sの光信号が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-29
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