希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
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概要
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新しい希薄磁性半導体InxMn_<l-x>A_<sy>Sb_<l-y>をMBE法により成長した。InMnAsの光学フォノン特性がRaman散乱測定を用いて研究され、InMnAsのLOフォノンとプラズモンとの結合モードが観察された。その振る舞いから、成長したInMnAsがp型であることがわかった。光照射の磁化測定からInMnAs/InAs/GaSb多重構造の光誘起磁性が確認された。約2μm以上の中赤外光を試料に照射し、InMnAsSb/InSbヘテロ構造の光誘起磁性が確認された。この光誘起磁性は光照射を中止しても、長時間残ることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-04
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