遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)

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概要

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NH_3 -MBE法で、サファイヤ基板上に磁性半導体GaMnNを成長した。X線回折測定により相分離のあるGaMnN試料と相分離のないGaMnN試料に対して、磁性特性を調べた。これらの試料の磁気特性曲線から2種類の磁性成分が観察され、低温における常磁性成分と測定温度全体にわたる強磁性成分である。常磁性成分がGaMnNによるもので、相分離のGaMnN試料からの強磁性成分がMn化合物によるものと考えられる。また、新しい磁性半導体GaCrNがECR-MBE法でサファイヤ基板上に初めて作製された。X線回折測定から、相分離のないGaCrN膜が成長され、明瞭な磁化飽和とヒステリシスから、GaCrNは400K以上のキュリー温度を持つことがわかった。GaCrNから約3.3eVのピークエネルギーを持つ発光スペクトルも観察された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-06-07

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