温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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インターネットの急速な普及・拡大による通信容量の増大に対応するために波長分割多重光通信方式の重要性が高まっている.この方式においては,多数の波長を信号伝送に用いるために,発振波長の温度変化がない半導体レーザが強く望まれている.このようなレーザを実現する可能性のある方法としては,そのバンドギャップが温度によりあまり変化しない,あるいは,通常の半導体とは逆の温度依存性を持つ半導体材料を創製し,それを半導体レーザの活性層に用いることである.筆者はそのような温度無依存発振波長レーザ用半導体として,タリウム系III-V族新混晶半導体を提案し,その結晶成長可能性の検討から始め,物性・特性評価,そしてデバイス試作検討を行ってきた.これまでに,そのフォトルミネセンス発光ピーク波長,発光ダーオードからの発光ピーク波長が共に極めて小さな温度依存性を示すことを確認した.更に室温レーザ発振を達成し,縦モード波長の温度変化が0.06 nm/KとInGaAsP/InP DFBレーザの0.1 nm/Kより安定であることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
阪大産研
-
長谷川 繁彦
阪大・産研
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
-
江村 修一
大阪大学産業科学研究所
-
李 輝宰
大阪大学産業科学研究所
-
今田 明範
大阪大学産業科学研究所
-
藤原 敦志
大阪大学産業科学研究所
-
伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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