酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
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概要
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酸窒化膜をゲート絶縁膜に用いたPMOSにおいて、2次元的にボロンの熱抜けが起るというモデルを提案した。得られたSTM、SIMSデータは、このモデルを支持するものであった。また、この部分的熱抜けは、酸窒化膜形成前のウェツト前洗浄に影響されることも分かった。これらの結果は、PMOSの熱処理を考える時Bの抜け易い部分に合わせて熱履歴を設定しなければならないことを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-14
著者
-
中島 尚男
兵庫大
-
長谷川 繁彦
阪大・産研
-
長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
-
青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
-
福留 秀暢
富士通研究所
-
有本 宏
MIRAI-Selete
-
田代 浩子
株式会社富士通研究所
-
中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
-
青山 敬幸
富士通研究所
-
福留 秀暢
富士通マイクロエレクトロニクス
-
鈴木 邦広
富士通研究所
-
田代 浩子
富士通研究所
-
多田 陽子
富士通研究所
-
有本 宏
富士通研究所
-
堀内 敬
富士通研究所
-
青山 敬幸
株式会社富士通研究所:(現)selete
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