朝日 一 | 大阪大学産業科学研究所

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概要

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• 朝日 一

  大阪大学産業科学研究所

• 朝日 一

  大阪大学 産業科学研究所

• 朝日 一

  阪大産研

• 権田 俊一

  大阪大学産業科学研究所

• 浅見 久美子

  阪大・産研

• 権田 俊一

  阪大・産研

• 浅見 久美子

  大阪大学産業科学研究所

• 長谷川 繁彦

  阪大・産研

• 長谷川 繁彦

  大阪大学産業科学研究所

• 周 逸凱

  大阪大学産業科学研究所

• 伊藤 利道

  大阪大 大学院工学研究科

• 李 輝宰

  大阪大学産業科学研究所

• 江村 修一

  大阪大学産業科学研究所

• 藤原 敦志

  大阪大学産業科学研究所

• 藤原 淳志

  大阪大学産業科学研究所研

• 前田 修

  大阪大学産業科学研究所

• 橋本 政彦

  阪大産研

• 溝端 亜希子

  大阪大学産業科学研究所

• 反保 衆志

  大阪大学産業科学研究所

• 橋本 政彦

  大阪大学産業科学研究所

• 金村 雅仁

  大阪大学産業科学研究所

• 浅野 陵

  大阪大学産業科学研究所

• 小西 健太

  大阪大学産業科学研究所

• 高 秀樹

  大阪大学産業科学研究所

• 尾江 邦重

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 金 武成

  大阪大学産業科学研究所

• 木村 重哉

  大阪大学産業科学研究所

• 崔 誠佑

  大阪大学産業科学研究所

• 今田 明範

  大阪大学産業科学研究所

• 岩田 拡也

  大阪大学産業科学研究所

• 金 成珍

  大阪大学産業科学研究所

• 筆田 麻祐子

  大阪大学産業科学研究所

• 竹中 圭一

  大阪大学産業科学研究所

• 鮒子田 昌広

  大阪大学産業科学研究所

• 山本 和彦

  大阪大学産業科学研究所

• 石丸 学

  大阪大学産業科学研究所

• 朝倉 淳

  大阪大学産業科学研究所

• 山中 隆幸

  大阪大学産業科学研究所

• 綾部 篤志

  大阪大学産業科学研究所

• 奥村 滋一

  大阪大学産業科学研究所

• 広木 正伸

  大阪大学産業科学研究所

• 武本 美紀

  大阪大学産業科学研究所

• 石丸 学

  阪大産研

• 高井 治

  名古屋大学大学院工学研究科

• 今野 豊彦

  阪府大院工

• 斎藤 芳男

  高エ研

• 高井 治

  名古屋大 大学院工学研究科

• 高井 治

  名古屋大学

• 弘津 禎彦

  大阪大学産業科学研究所

• 弘津 禎彦

  長岡技科大

• 田沼 繁夫

  物質・材料研究機構分析支援ステーション

• 森田 清三

  大阪大学大学院工学研究科

• 菅井 秀郎

  中部大学大学院工学研究科

• 吉田 豊信

  東京大学大学院工学系研究科

• 塚田 捷

  早稲田大学大学院理工学研究科

• 齊藤 芳男

  高エネルギー加速器研究機構加速器研究施設

• 徐 鍾旭

  大阪大学産業科学研究所

• 寺山 正敏

  大阪大学産業科学研究所

• 内田 夏苗

  大阪大学産業科学研究所

• 松本 武

  大阪大学産業科学研究所研

• 盧 柱亨

  大阪大学産業科学研究所

• 塚田 捷

  東京大学大学院理学系研究科・理学部

• 今野 豊彦

  東北大学金属材料研究所

• 塚田 捷

  東北大学原子分子材料科学高等研究機構

• 塚田 捷

  東京大学理学部

• 佐藤 和久

  東北大学金属材料研究所大阪センター

• 田沼 繁夫

  独立行政法人物質・材料研究機構 ナノ計測センター先端表面化学分析グループ

• 田中 裕輔

  大阪大学産業科学研究所

• 斎藤 芳男

  高エネルギー加速器研究機構

• 弘津 禎彦

  大阪大学産業科学研究所高次制御材料科学研究部門材料機能物性研究分野

• Morita S

  Faculty Of Engineering Osaka University

• Morita S

  Osaka Univ. Osaka

• 吉田 豊信

  東京大学工学部

• 塚田 捷

  早稲田大学大学院理工学研究科ナノ理工学専攻

• 田沼 繁夫

  独立行政法人物質・材料研究機構

• Sugai Hideo

  Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya Univeristy

• 菅井 秀郎

  名古屋大

• Sugai Hideo

  Department Of Electrical Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University

• Sugai Hideo

  Nagoya University

• 齋藤 芳男

  高エネルギー加速器研究機構

• 塚田 捷

  東京大学理学部物理学科

• Okuno Yasutoshi

  Lsi Manufacturing Technology Unit Wafer Process Engineering Development Division Renesas Technology

• 高井 治

  名古屋大学エコトピア科学研究所・大学院工学研究科

• 齊藤 芳男

  大学共同利用法人・高エネルギー加速器研究機構・加速器研究施設

• 菅井 秀郎

  中部大学工学部電気システム工学科

• 吉田 豊信

  東大・工

• Morita Shigenori

  Department Of Electronic Engineering Osaka University

• Tsukada Mineharu

  Fujitsu Laboratories Inorganic Materials & Polymers Laboratory

• 佐藤 和久

  東北大学金属材料研究所

• Okuno Y

  Lsi Manufacturing Technology Unit Wafer Process Engineering Development Division Renesas Technology

• 塚田 捷

  早稲田大学大学院

• 菅井 秀郎

  中部大学

• Mishima Syuzo

  Research Department Olympus Optical Co. Ltd.

• 田沼 繁夫

  物質・材料研究機構ナノ計測センター

• 吉田 豊信

  東京大学

• 奥野 泰利

  日本テキサスインスツルメンツ(株)、ulsi技術開発センター

• Morita Seizo

  Graduate School Of Engineering Osaka University

• 吉田 豊信

  東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻

• 吉田 豊信

  東京大学工学部金属工学科

• 吉田 豊信

  東京大学工学部マテリアル工学科

• 吉田 豊信

  東京大学大学院工学系研究科金属工学専攻

• 田沼 繁夫

  物質・材料研究機構

• 齊藤 芳男

  高エネルギー加速器研究機構

• 奥野 泰利

  大阪大学産業科学研究所

• 金子 忠昭

  大阪大学産業科学研究所

• 井谷 康志

  大阪大学産業科学研究所

• 塚田 捷

  早稲田大学理工学術院

• Okuno Yasutoshi

  ULSI Process Technology Development Center, Semiconductor Company, Matsushita Electronics Corp., 19, Nishikujo-kasuga cho, Minami-ku, Kyoto 601-8413, Japan

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著作論文

• IUVSTA Scientific and Technical Divisions (STD) の報告
• パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• 関西支部15周年を迎えて
• 半導体ナノスピントロニクス・デバイス
• GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
• TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
• GaNベースの透明磁性半導体の作製と特性(「磁性薄膜作製技術」)
• MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• タリウム系新混晶半導体による, 発振波長の温度変化がない半導体レーザーの実現をめざして
• TlInGaAs/InP ダブルヘテロ構造LED
• 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
• TlInGaAs/InPダブルヘテロ構造LED
• Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
• MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
• Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
• 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
• GaP/InP 短周期超格子成長による自己形成量子構造
• タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
• 真空系への反応性ガス,毒性ガス,微少流量の導入
• GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
• ガスソースMBE成長TlInCaP系の光学的特性
• ガスソースMBE成長TlInGaP系の光学的特性
• 新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
• ガスソ-ス分子線エピタキシ-法によるリン系化合物半導体の原子オ-ダ-制御
• Doping and Doped Layers(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
• TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
• MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
• 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
• 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
• GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
• TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
• 半導体結晶成長技術の進展と挑戦
• MOMBE法によるAIGaSbの成長

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