CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-03-02
著者
-
朝日 一
大阪大学 産業科学研究所
-
朝日 一
阪大産研
-
長谷川 繁彦
阪大・産研
-
朝日 一
大阪大学産業科学研究所
-
長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
-
周 逸凱
大阪大学産業科学研究所
-
江村 修一
大阪大学産業科学研究所
-
伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
関連論文
- 29a-WB-2 Rb_2CsC_の金属周り局所構造の温度変化
- 29p-D-2 フラーレン超伝導体ならびに非超伝導体の構造の温度変化の比較
- Rb_3C_, K_2RbC_ならびにRb_6C_の構造の温度変化
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 半導体ヘテロエピタキシーの現状と展望
- IUVSTA Scientific and Technical Divisions (STD) の報告
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 関西支部15周年を迎えて
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- 半導体ナノスピントロニクス・デバイス
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- GaNベースの透明磁性半導体の作製と特性(「磁性薄膜作製技術」)
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 新磁性3-V族半導体の創製と新機能デバイス応用の研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 室温透明強磁性半導体の創製と半導体スピントロニクス
- タリウム系新混晶半導体による, 発振波長の温度変化がない半導体レーザーの実現をめざして
- TlInGaAs/InP ダブルヘテロ構造LED
- 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
- TlInGaAs/InPダブルヘテロ構造LED
- 27aXA-5 高圧下におけるアルカリハライド不純物中心のスピン軌道相互作用
- Gas-SourceMBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- Gas-Source MBE法によるTlInGaAs/InPの結晶成長
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaP/InP 短周期超格子成長による自己形成量子構造
- タリウム系半導体の結晶成長 : 温度無依存バンドギャップ半導体の可能性
- 自己形成半導体量子構造と赤色発光量子デバイス (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
- 真空系への反応性ガス,毒性ガス,微少流量の導入
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- ガスソースMBE成長TlInCaP系の光学的特性
- ガスソースMBE成長TlInGaP系の光学的特性
- 新III-V族半導体TlInGaPのガスソースMBE成長
- ガスソ-ス分子線エピタキシ-法によるリン系化合物半導体の原子オ-ダ-制御
- Doping and Doped Layers(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 30pWD-4 GaN : 3dTM, (In, Mn)AsSb ベースのデバイス創製
- 窒化物半導体MBE装置
- 第10回インジウム燐および関連材料に関する国際会議報告
- 多結晶3-V族窒化物半導体/異種材料ヘテロ構造とデバイス応用の研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- タリウム系半導体と光通信用温度安定発振波長半導体レーザの研究 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 薄膜成長とエピタキシー(第13回結晶成長国際会議(ICCG-13/ICVGE-11))
- 硬X線分光XAFSビームライン(BL01B1)での研究
- 放射光を用いたLiイオン二次電池用正極材料LiNi_Mn_O_2の構造変化の研究
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 5p-T-7 Si(111)(√×√)-Al上のAl薄膜室温成長過程
- CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- 複合ペロブスカイト型化合物固溶体Ba(Mn_Ta_Nb_)O_3の赤外反射スペクトル及びラマンスペクトル
- GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
- GaAs(001)基板上に成長したInAsドット構造のアニール効果
- 金属基板上に成長した多結晶GaNからの電界電子放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 遷移金属添加GaNの成長と室温強磁性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- XAFS, 中性子回折, X線異常分散によるCo2Z型Baフェライトの磁性イオン分布の解析
- XAFS
- 30a-P-11 高エネルギー領域でのXAFS
- 29a-J-10 フラーレン超伝導体の局所構造の温度変化-Nb_3Snとの比較
- 29p-YA-18 EXAFSによるCuBrのCu-Br 2体間のポテンシャル
- 31a-B-3 KTaO_3のTa-K吸収端のEXAFS
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- MOMBE法によるMn原子を含むInAs量子ドットの作製とその物性
- 低温ガスソースMBE成長によるGaN-rich GaNPのP組成増大
- GaAs(N11)基板上GaP/InP短周期超格子中に自己形成された量子ドットの光学特性の改善
- 25aS-6 Eu@C_固体の構造と物性
- 各種サファイアに対するkeV領域電子線照射効果
- 酸化チタンの高電界印加時の衝突励起現象とその応用
- 化学気相合成ダイヤモンド(100)の表面酸化過程の走査トンネル顕微鏡, 光電子放出顕微鏡及びX線光電子分光による評価
- トリメチルホスフィンを用いたリンドープ気相合成ダイヤモンド薄膜の作製と評価
- 高品質気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高電界印加型p-i-p素子の電気的特性
- 気相合成ダイヤモンド薄膜上におけるプラチナ薄膜の低温形態変化
- ダイヤモンド薄膜表面導入欠陥のカソードルミネッセンス強度への影響
- TlInGaAs系新半導体の成長とTlInGaAs/InPダブルヘテロ構造での室温レーザ発振(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 走査型トンネル顕微鏡によるAI/Si(111)界面形成過程の研究
- 走査型トンネル顕微鏡によるSi(111)基板表面上のAI薄膜成長初期過程の観察
- 30a-D-10 Ge_xSi_(111)高温相の(√×√)的散漫散乱構造
- 1a-S-11 Si(111)表面の低温及び高温におけるステップ構造
- 1a-S-9 Si(111)高温相の√×√散漫散乱
- 希薄磁性半導体InMnAsSbの結晶成長とその光誘起磁性
- 高品質CVDダイヤモンドを用いた高感度検出器の開発
- サマリー・アブストラクト
- 半導体結晶成長技術の進展と挑戦
- 26p-P-6 Si(111)√-A1相の原子状水素曝露による表面構造変化
- 26p-P-5 Si(111)√-A1相の角度分解電子エネルギー損失スペクトル
- 化学気相合成ダイヤモンド上に堆積した有機発光材料α-ナフチルフェニルジアミン薄膜の評価
- 集束イオンビームを用いて加工した高電界印加型ダイヤモンド素子構造における残留ガリウムの電界誘起効果
- 気相合成ダイヤモンド単結晶薄膜における短パルスレーザー励起キャリアの輸送特性
- Si (111) √3-Au構造の角度分解電子エネルギー損失分光
- 表面科学はユビキタス
- MOMBE法によるAIGaSbの成長
- 26pSA-8 スピン軌道相互作用とローレンツ力との協同効果による磁気およびホール抵抗(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSA-28 低濃度(水素雰囲気からの高濃度水素吸蔵体YH_3およびGdH_3の結晶成長(20pPSA 領域9 ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)
- 18aPSA-14 両極性伝導型Gd_XY_H_2における異常および正常ホール効果(18aPSA 領域3ポスターセッション(量子スピン・フラストレーション・遍歴・f電子・酸化物・化合物磁性),領域3(磁性,磁気共鳴))