高品質気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高電界印加型p-i-p素子の電気的特性
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概要
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In this study, we have fabricated high-electric-field-applicable p-i-p structures using a photolithographic process with high-quality homoepitaxial diamond grown by means of high-power microwave-plasma chemical-vapor-deposition (CVD) method. Current-voltage (I-V) characteristics of the diamond p-i-p devices revealed rapid increases in current due to impact excitation events of electrons from the valence band whereas such space-charge-limited currents as I ∝ V 2 were observed at sufficiently high electric fields. Substantial differences in the I-V characteristics observed among the p-i-p devices strongly depended on the electronic properties of the CVD diamond i layers employed. Electroluminescence measured for a p-i-p device was compared with cathodoluminescence taken from the diamond i layer.
- 日本真空協会の論文
- 2005-03-20
著者
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長谷川 繁彦
阪大・産研
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
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伊藤 利道
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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寺地 徳之
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
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山本 道詞
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
濱田 充弘
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
濱田 充弘
大阪大学大学院工学部研究科
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