多孔質シリコンから観測される半値幅の狭いフォトルミネセンス
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概要
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最近我々は、多孔質シリコンからのフォトルミネセンス(PL)スペクトルにおいて、従来報告されている0.3eV程度の半値幅のスペクトルに比べ、かなり狭い(0.21-0.30eV)半値幅のPLスペクトルを呈する試料を再現性良く作製することに成功した。この試料におけるPL強度やPLピークエネルギーの温度依存性を測定すると、温度上昇に伴い240K付近においてどちらの値にも大きな増加が見られる。また、PLピークエネルギーの高い試料ほど、強いPLか観測された。一方、時間分解PLの測定からは、熱励起の過程か発光機構に関与していることが示唆される。これらの結果は、量子サイズ効果に基づく、ナノメートルサイズのシリコン微結晶からの発光モデルで説明できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-08
著者
-
伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
-
平木 昭夫
大阪大学工学研究科フロンティア研究センター
-
古田 啓介
大阪大学工学部電気工学科
-
岡本 充央
大阪大学工学部電気工学科
-
大岩 孝
大阪大学工学部電気工学科
-
八田 章光
大阪大学工学部電気工学科
-
伊藤 利道
大阪大学工学部電気工学科
-
岡本 充央
大阪大学
-
平木 昭夫
高知工科大学電子・光システム工学科
-
大岩 孝
大阪大学
-
八田 章光
大阪大学工学部
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