水素プラズマ処理による酸化多孔質シリコンのPL、EL特性の安定化

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概要

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構造不安定性をもつ多孔質シリコン(PS)を安定化するためにECRプラズマによるPS膜の酸化を行った場合のフォトルミネッセンスやエレクトロルミネッセンスについて評価した。その結果PL励起スペクトルが単結晶シリコンの誘電率虚数項_ε2>に対応していることから、PL発光の励起機構にシリコン結晶が関与していることがわかった。しかし、プラズマ酸化を行っただけでは、EL特性は不安定であり、その原因は酸化膜中の欠陥によるものと考えられた。この欠陥を補償するためECR水素プラズマ処理を行うと、EL特性は安定化しPLに対応するエネルギー位置に発光ピークを示すことから、観測されたEL発光は酸化したPS中の微細シリコン領域または界面に電気的に注入されたキャリアに基づくものと考えられる。
1993-12-10

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