走査型トンネル顕微鏡によるSi(111)基板表面上のAI薄膜成長初期過程の観察
スポンサーリンク
概要
著者
-
中島 尚男
兵庫大
-
中島 尚男
阪大産研
-
長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
-
伊藤 利道
大阪大 大学院工学研究科
-
上村 明
愛媛大学工学部電気電子工学科
-
中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
-
上村 明
大阪大学産業科学研究所
関連論文
- 21aYK-1 稀薄磁性半導体GaCrNにおけるX線直線偏光特性(21aYK 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- パターニングしたSOI基板上のGaNナノロッド成長とその評価(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 半導体ナノスピントロニクス材料創製
- GaNナノロッドの先端先鋭化とその電界電子放出特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- TlInGaAsN系半導体と温度安定波長半導体レーザ
- 24aPS-7 希薄磁性半導体GaN:Crの光電子分光(領域4ポスターセッション,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 20pTH-15 ZuSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和と時間応答
- 30pYH-11 ZnSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和過程
- 28pYA-5 Al_xGa_As/AlAS量子細線における光強励起効果II
- 23pRA-14 Al_xGa_As/AlAs量子細線における光励起効果
- RHEED振動とフォトルミネッセンスによるMBE成長 : AlGaAs-GaAsヘテロ界面の単分子層ステップの観察 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
- 多孔質シリコンから観測される半値幅の狭いフォトルミネセンス
- ポーラスシリコンの酸化による構造安定化とその物性
- TlInGaAsN/TlInP量子井戸構造中の自発的ナノスケール相分離
- 走査型トンネル顕微鏡による微細デバイス構造のナノ評価(ナノテクノロジー時代の故障解析技術と解析ツール)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 温度安定発振波長レーザを目指すTlInGaAs系半導体(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 5p-T-7 Si(111)(√×√)-Al上のAl薄膜室温成長過程
- CS-3-4 強磁性半導体による光半導体スピントロニクスデバイス(CS-3.新原理オプティクスの最近の動向,シンポジウムセッション)
- 青色発光ZnS:Cu粉末EL素子 : 蛍光体の作製を中心にして
- 18aPS-32 Al_xGa_As/AlAs量子細線における光強励起効果 III
- GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
- 27a-F-7 Porous-Siのフォトルミネッセンスとラマンスペクトル
- GaAs(001)基板上に成長したInAsドット構造のアニール効果
- 金属メッキされた多孔質シリコンの微細構造と膜中分布
- 水素プラズマ処理による酸化多孔質シリコンのPL、EL特性の安定化
- pn接合多孔質シリコンの可視発光
- ダイヤモンド表面物性の評価・制御と電子エミッターへの応用
- 気相合成ダイヤモンドによる薄膜電子エミッターの作製
- 窒素ドープダイヤモンドの表面抵抗及び結晶性の評価
- 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
- 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
- 各種サファイアに対するkeV領域電子線照射効果
- 酸化チタンの高電界印加時の衝突励起現象とその応用
- 化学気相合成ダイヤモンド(100)の表面酸化過程の走査トンネル顕微鏡, 光電子放出顕微鏡及びX線光電子分光による評価
- トリメチルホスフィンを用いたリンドープ気相合成ダイヤモンド薄膜の作製と評価
- 高品質気相合成ダイヤモンド薄膜を用いた高電界印加型p-i-p素子の電気的特性
- 気相合成ダイヤモンド薄膜上におけるプラチナ薄膜の低温形態変化
- ダイヤモンド薄膜表面導入欠陥のカソードルミネッセンス強度への影響
- 化学気相合成ダイヤモンド上に堆積した有機発光材料α-ナフチルフェニルジアミン薄膜の評価
- 集束イオンビームを用いて加工した高電界印加型ダイヤモンド素子構造における残留ガリウムの電界誘起効果
- 気相合成ダイヤモンド単結晶薄膜における短パルスレーザー励起キャリアの輸送特性
- CVDダイヤモンドからの高効率電子エミッション
- プラズマCVD法による高品質ダイヤモンドの合成
- ダイヤモンド表面からの電子放出-ディスプレイへの応用を目指して-
- 有磁場マイクロ波プラズマ気相合成装置内に付着した炭素薄膜の酸素プラズマによるエッチング
- ダイヤモンド薄膜を用いた電子エミッタ
- 単結晶ダイヤモンド膜からの高効率電子放出
- インジウムメッキされた多孔質シリコンの構造とその性質
- ガスパフを用いた有磁場マイクロ波プラズマCVD法によるダイヤモンド成膜とラジカルの時間変化
- 29a-R-9 GaAs(110)微傾斜面上のGaAs量子細線と磁気光学スペクトル
- 29a-R-9 GaAs(110)微傾斜面上のGaAs量子細線と磁気光学スペクトル
- 分子線エピタキシイによる化合物半導体超薄膜の成長とその評価
- 多孔質シリコンの可視PLスペクトルの陽極化成中照射光依存性
- 硝酸塩水溶液のパルス噴霧熱分解法によるYBa_2Cu_3O_超伝導薄膜の作製
- I. V. Markov, Crystal Growth for Beginners; Fundamentals of Nucleation, Crystal Growth and Epitaxy, World Scientific, Singapore and New Jersey, 1995, xii+422p, 22.5×15.5cm, 11,900円 [大学院生, 研究者向]
- AlGaAs量子細線構造の作製と評価
- GaAs/AlGaAs分子線エピタキシャル成長と基板面方位
- 化合物半導体超格子の無秩序化とその応用
- 可視発光多孔質シリコンの陽極酸化処理効果
- 走査型トンネル顕微鏡によるAI/Si(111)界面形成過程の研究
- 8a-H-3 Si(111)"1×1"-As相のLEED散漫散乱の温度依存性
- MOSFET断面構造の走査型トンネル顕微鏡および原子間力顕微鏡による評価
- 走査型トンネル顕微鏡によるSi(111)基板表面上のAI薄膜成長初期過程の観察
- 高品質CVDダイヤモンドを用いた高感度検出器の開発
- 31a-Y-3 多孔質Si:Hの赤外吸収とフォトルミネッセンス
- サマリー・アブストラクト
- 気相合成ダイヤモンドの電子デバイスへの応用
- ダイヤモンド気相合成における基板バイアスによる核発生過程
- 負性電子親和力ダイヤモンド半導体-ディスプレイ材料としての可能性-
- 半導体ダイヤモンド薄膜を用いた電子エミッタ
- 超微粒子種結晶を用いたダイヤモンド薄膜の低温合成(カーボン)
- 高速イオン散乱・チャネリング法による金属/半導体界面の評価
- 多孔質シリコンの陽極化成
- 気相合成ダイヤモンド薄膜/金属界面の特性
- ダイヤモンドをよく知るために 評価法(17)高速イオン散乱分光法
- 30p-L-9 プラズマ気相合成によるsp^3カーボン膜のESR
- 化学気相合成ダイヤモンド上に堆積した有機発光材料α-ナフチルフェニルジアミン薄膜の評価
- 集束イオンビームを用いて加工した高電界印加型ダイヤモンド素子構造における残留ガリウムの電界誘起効果
- 気相合成ダイヤモンド単結晶薄膜における短パルスレーザー励起キャリアの輸送特性
- 多孔質シリコンの初期酸化と金属シリサイド化
- ナノ・スケールで見るSi微細デバイス (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- Si (111) √3-Au構造の角度分解電子エネルギー損失分光
- 表面科学はユビキタス
- 多孔質シリコン (アモルファス半導体と新材料) -- (新材料)
- 低速電子透過分光法
- 26pPSA-34 Al_xGa_1-xAS/ALAs量子細線における励起子拡散の観測(26pPSA,領域5(光物性分野))