中島 尚男 | 兵庫大

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概要

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関連著者

• 中島 尚男

  兵庫大

• 中島 尚男

  大阪大学産業科学研究所

• 中島 尚男

  阪大産研

• 井上 恒一

  阪大産研

• 長谷川 繁彦

  大阪大学産業科学研究所

• 伊藤 利道

  大阪大 大学院工学研究科

• 前橋 兼三

  阪大産研

• 前橋 兼三

  大阪大学産業科学研究所

• 井上 恒一

  大阪大学産業科学研究所

• 唐沢 力

  阪市大院理

• 赤井 一郎

  阪市大院・理

• 唐沢 力

  阪市大院・理

• 長谷川 繁彦

  阪大・産研

• 阪東 一毅

  筑波大物理

• 阪東 一毅

  阪市大院・理

• 中島 尚男

  大阪大 産科研

• 三浦 登

  東大物性研

• 長谷川 繁彦

  阪大産研

• 村瀬 康裕

  阪大産研

• 松田 理

  北大工

• 唐沢 力

  大阪市大 理院

• 三浦 登

  東京大学物性研究所

• 国松 洋

  物性研

• 国松 洋

  東大物性研

• 奥井 登志子

  大阪大学産業科学研究所

• 加藤 武彦

  阪大産研

• 上村 明

  大阪大学産業科学研究所

• Miura N

  Institute For Solid State Physics University Of Tokyo

• 丸山 政克

  大阪大学産業科学研究所

• 中島 尚男

  光技術共同研

• 小林 啓介

  光技術共同研究所

• 中島 尚男

  東大物性研

• 中島 伸二

  阪大・理

• 青山 敬幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 福永 敏明

  光技術共同研究所

• 中島 尚男

  光技術共同研究所

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス株式会社

• 福留 秀暢

  富士通研究所

• 松田 好正

  阪大・産研

• 李 成泰

  阪大・産研

• 中島 尚男

  阪大・産研

• 有本 宏

  MIRAI-Selete

• 田代 浩子

  株式会社富士通研究所

• 邑瀬 和生

  阪大・理

• 上村 明

  愛媛大学工学部電気電子工学科

• 木村 憲泰

  大阪大学産業科学研究所

• 佐藤 正道

  大阪大学産業科学研究所

• 岩根 正晃

  大阪大学理学部

• 松田 理

  大阪大学理学部

• 邑瀬 和生

  大阪大学理学部

• 松田 理

  阪大・理

• 大江 仁

  阪大・理

• 末金 皇

  大阪大学産業科学研究所

• 田中 優数

  大阪大学産業科学研究所

• 荒川 勝仁

  大阪大学産業科学研究所

• 青山 敬幸

  富士通研究所

• 福留 秀暢

  富士通マイクロエレクトロニクス

• 鈴木 邦広

  富士通研究所

• 田代 浩子

  富士通研究所

• 多田 陽子

  富士通研究所

• 有本 宏

  富士通研究所

• 堀内 敬

  富士通研究所

• 安田 晴行

  阪大産研

• 丸山 政克

  阪大産研

• 奥井 登志子

  阪大産研

• 青山 敬幸

  株式会社富士通研究所:(現)selete

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著作論文

• 20pTH-15 ZuSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和と時間応答
• 30pYH-11 ZnSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和過程
• 28pYA-5 Al_xGa_As/AlAS量子細線における光強励起効果II
• 23pRA-14 Al_xGa_As/AlAs量子細線における光励起効果
• RHEED振動とフォトルミネッセンスによるMBE成長 : AlGaAs-GaAsヘテロ界面の単分子層ステップの観察 : 原子層エピタキシー技術の基礎 : トピカル・シンポジウム
• 5p-T-7 Si(111)(√×√)-Al上のAl薄膜室温成長過程
• 18aPS-32 Al_xGa_As/AlAs量子細線における光強励起効果 III
• GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
• 27a-F-7 Porous-Siのフォトルミネッセンスとラマンスペクトル
• GaAs(001)基板上に成長したInAsドット構造のアニール効果
• 酸窒化ゲート絶縁膜を用いたPMOSの不均一なボロンの熱抜け
• 29a-R-9 GaAs(110)微傾斜面上のGaAs量子細線と磁気光学スペクトル
• 29a-R-9 GaAs(110)微傾斜面上のGaAs量子細線と磁気光学スペクトル
• 分子線エピタキシイによる化合物半導体超薄膜の成長とその評価
• I. V. Markov, Crystal Growth for Beginners; Fundamentals of Nucleation, Crystal Growth and Epitaxy, World Scientific, Singapore and New Jersey, 1995, xii+422p, 22.5×15.5cm, 11,900円 [大学院生, 研究者向]
• AlGaAs量子細線構造の作製と評価
• GaAs/AlGaAs分子線エピタキシャル成長と基板面方位
• 化合物半導体超格子の無秩序化とその応用
• 走査型トンネル顕微鏡によるAI/Si(111)界面形成過程の研究
• 8a-H-3 Si(111)"1×1"-As相のLEED散漫散乱の温度依存性
• MOSFET断面構造の走査型トンネル顕微鏡および原子間力顕微鏡による評価
• 走査型トンネル顕微鏡によるSi(111)基板表面上のAI薄膜成長初期過程の観察

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