井上 恒一 | 大阪大学産業科学研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
-
井上 恒一
阪大産研
-
邑瀬 和生
大阪教養
-
松田 理
北大工
-
王 勇
阪大工
-
邑瀬 和生
阪大理
-
松田 理
阪大理
-
王 勇
阪大理
-
前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
-
松本 和彦
大阪大学産業科学研究所
-
前橋 兼三
阪大産研
-
大野 恭秀
大阪大学産業科学研究所
-
松本 和彦
大阪大 産科研
-
邑瀬 和生
阪大院理
-
松田 理
阪大・理
-
中村 充孝
J-PARCセンター
-
王 勇
阪大院理
-
中岡 俊裕
阪大院理
-
中島 尚男
兵庫大
-
中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
-
Kazuo Murase
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
-
Murase K
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
-
MURASE Kazuo
Department of Physics, Osaka University
-
中島 尚男
阪大産研
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科
-
中村 充孝
阪大理
-
和田 佳樹
阪大理
-
岸本 貴臣
大阪大学産業科学研究所
-
袴田 靖文
大阪大学産業科学研究所
-
井上 恒一
阪大総研
-
大堀 貴大
大阪大学産業科学研究所
-
永曽 悟史
大阪大学産業科学研究所
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
-
Murase K
Ntt Corp. Kanagawa Jpn
-
Murase Kazuo
Department Of Physics Osaka University
-
唐沢 力
阪市大院理
-
葛西 誠也
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te
-
赤井 一郎
阪市大院・理
-
唐沢 力
阪市大院・理
-
邑瀬 和生
大阪大学大学院理学研究科
-
阪東 一毅
筑波大物理
-
村瀬 康裕
阪大産研
-
阪東 一毅
阪市大院・理
-
菅野 浩
阪大理
-
邑瀬 和生
阪大・理
-
大場 貴史
阪大理
-
Murase Kazuo
Department Of Applied Physics Osaka City University
-
葛西 誠也
北海道大学 大学院情報科学研究科
-
葛西 誠也
北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ
-
葛西 誠也
北海道大学
-
橋本 哲
京教大
-
橋本 哲
京都教育大
-
長谷川 繁彦
阪大・産研
-
長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
-
田中 耕平
阪大院理
-
村上 俊介
阪大院理
-
Popovic Z.V.
リューベン大
-
村上 弘剛
阪大院理
-
中村 光孝
高工研
-
中村 充孝
阪大院理
-
松田 理
阪大院理
-
斉藤 裕一
阪大理
-
斉藤 裕一
阪大院理
-
唐沢 力
大阪市大 理院
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
OHNO Yasuhide
大阪大学産業科学研究所
-
木村 憲泰
大阪大学産業科学研究所
-
佐藤 正道
大阪大学産業科学研究所
-
岩根 正晃
大阪大学理学部
-
松田 理
大阪大学理学部
-
邑瀬 和生
大阪大学理学部
-
OHNO Yasuhide
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
-
山縣 浩作
阪大院理
-
Ohno Yasuhide
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
斎藤 祐一
阪大理
-
大江 仁
阪大理
-
山縣 浩作
阪大理
-
大場 貴志
阪大理
-
葛西 誠也
北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ
著作論文
- 25pL-8 GeSe系ガラスの構造緩和とネットワークの変化
- 27aC-6 Ge-(S, Se)系バルクガラスの構造および低振動数モード
- 27aC-5 GeSe_2ガラスの共鳴ラマン散乱と局所構造
- 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
- 20pTH-15 ZuSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和と時間応答
- 30pYH-11 ZnSe 中の CdSe 量子ドットにおける励起子緩和過程
- 自己形成型CdSeナノ量子ドットの作製と光学的評価 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 28pYA-5 Al_xGa_As/AlAS量子細線における光強励起効果II
- 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
- 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
- 23pRA-14 Al_xGa_As/AlAs量子細線における光励起効果
- 26aYC-1 半導体SnGeS_3のラマン散乱スペクトルのモデル計算
- 29p-ZF-6 結晶GeSe_2のフォノンモードの同定と共鳴ラマン散乱
- 26p-YP-2 GaAs/AlAs/GaAsヘテロ構造のAl-2p内殻反射スペクトルの分散解析
- 29a-S-9 Ge_xSe_ガラスの低振動数ラマン散乱
- X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
- Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
- 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
- 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
- 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
- SiN_x保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiNx保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発(ナノデバイスと回路応用,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共鳴素子(ナノ機能性1,機能ナノデバイス及び関連技術)
- GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
- 3a-J-13 薄膜g-GeSe_2の光誘起結晶化
- 半導体ヘテロ構造と内殻電子遷移 (特集 マテリアルインテグレーション--材料・生体・情報の融合を目指して(1))
- 2a-J-3 K_2Seをドープした結晶GeSe_2の共鳴ラマン散乱
- 29a-G-11 K_2Seをドープした結晶GeSe_2のラマン散乱
- 31p-F-8 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス測定
- 29p-X-12 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンスの励起エネルギー依存性
- 29a-YL-6 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンス
- 29p-X-13 Ge-Se系バルクガラスにおけるフロッピーモードの温度依存性
- 29p-X-10 GeSe_2のガラス転移のラマン散乱測定
- 29a-YL-5 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化過程におけるレーザースポットサイズ依存性
- 29a-YL-4 アモルファス / 結晶および液体GeSe_2のラマンスペクトルの温度依存性
- 3a-J-14 バルクガラスおよび結晶GeS_2のフォトルミネセンススペクトル
- 30p-L-7 アモルファスGeS_2のフォトルミネセンス測定
- 30p-L-6 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存症
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた不揮発性メモリの開発
- SiN_x保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子
- SiN_x保護膜を有するCNT-FETを用いたCMOSインバータの開発
- カーボンナノチューブ電界効果トランジスタを用いた確率共振素子
- 30p-L-5 断続的な光照射によるa-GeSe_2の光誘起結晶化過程
- 12a-DF-18 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンス