邑瀬 和生 | 大阪教養
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概要
関連著者
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邑瀬 和生
大阪教養
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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邑瀬 和生
阪大院理
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邑瀬 和生
阪大理
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音 賢一
阪大院理
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松田 理
北大工
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鷹岡 貞夫
阪大理
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蒲生 健次
阪大基礎工
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音 賢一
阪大理
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Murase K
Ntt Corp. Kanagawa Jpn
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Kazuo Murase
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
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王 勇
阪大工
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松田 理
阪大理
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井上 恒一
大阪大学産業科学研究所
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井上 恒一
阪大産研
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
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邑瀬 和生
阪大・理
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部電気工学科
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塚越 一仁
阪大基礎工
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若家 冨士男
Osaka Univ. Osaka
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Murase Kazuo
Department Of Physics Osaka University
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邑瀬 和生
大阪大学大学院理学研究科
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Takaoka S
Graduate School Of Science Osaka University
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松田 理
阪大・理
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音 賢一
千葉大理
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塚越 一仁
阪大理
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王 勇
阪大院理
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王 勇
阪大理
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Gamo K
Osaka Univ. Osaka
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Murase Kazuo
Department Of Applied Chemistry Faculty Of Science And Engineering Chuo University
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蒲生 健次
阪大院基礎工
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MURASE Kazuo
Department of Physics,Faculty of Science,Osaka University
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Gamo Kenji
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Murase Kazuo
Department Of Applied Physics Osaka City University
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TAKAOKA Sadao
Department of Physics,Faculty of Science,Osaka University
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GAMO Kenji
Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering Sciences,Osaka University
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蒲生 健二
阪大基礎工
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中村 充孝
J-PARCセンター
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藤井 研一
阪大院理
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中岡 俊裕
阪大院理
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新井 宏一郎
阪大院理
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大山 忠司
阪大院理
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白井 誠一
Ntt境界研
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芹川 正
Nttエレクトロニクスlsi事業部saセンター
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芹川 正
NTT境界研
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若山 繁俊
阪大理
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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井上 真吾
阪大理
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吉澤 剛
阪大院理
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原口 大
阪大理
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松田 理
阪大院理
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中村 充孝
阪大院理
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石田 修一
東理大山口短大
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TAKAHARA Junichi
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Science, Osaka University
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大山 忠司
福井工大
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佐貫 朋也
阪大院理
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鷹岡 貞夫
阪大・理
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Gamo Kenji
Graduate School Of Engineering Science Osaka University
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Gamo Kenji
Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University:research Cent
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谷口 雅樹
広大理
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石田 修一
山口東理大
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中村 和夫
東工大総理工 : Nec基礎研
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)愛媛大学
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音 賢一
大阪大学大学院理学研究科
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鷹岡 貞夫
大阪大学大学院理学研究科
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細川 伸也
広大理
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中村 充孝
阪大理
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和田 佳樹
阪大理
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二瓶 史行
NEC基礎研
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難波 進
長崎総合科学大学
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宇野 滋雄
阪大院理
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中村 和夫
NEC基礎研
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難波 進
長崎総合科学大
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科
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冷水 佐壽
大阪大学大学院基礎工学研究科:(現)奈良高等工業専門学校
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Namba S
Inst. Physical And Chemical Research Wako
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中川 和男
阪大理
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音 賢一
阪大・理
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鈴村 竜広
阪大院理
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邑瀬 和生
大阪大学理学部
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Namba S
Japan Atomic Energy Res. Inst. Kyoto Jpn
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Namba S
Osaka Univ. Osaka
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二瓶 史行
Nec基礎・環境研究所
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Nihey F
Nec Fundamental And Environmental Res. Lab. Tsukuba Jpn
-
Nihey Fumiyuki
Nec Fundamental Research Laboratories
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MURASE Kazuo
Faculty of Science, Osaka University
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大場 貴史
阪大理
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TSUKAGOSHI Kazuhito
Department of Physics,Graduate School of Science,Osaka University
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OTO Kenichi
Department of Physics, Faculty of Science, Osaka University
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Murase Kazuo
Faculty Of Science Osaka University
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生天目 博文
広大理
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小野 泉
豊田工大
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小野 泉
広大理
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下村 哲
大阪大学大学院基礎工学研究科
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栗山 哲
阪大院理
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井上 恒一
阪大総研
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斉藤 裕一
阪大院理
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松林 知也
阪大院理
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下村 哲
阪大院基礎工
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冷水 佐壽
阪大院基礎工
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HARAGUCHI Masaru
Department of Surgery, National Oita Hospital
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音 賢一
阪大院・理
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Haraguchi Masaru
Renesas Technol. Itami‐shi Jpn
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Haraguchi Masaru
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
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Haraguchi Masaru
Department Of Electrical And Electronics Engineering Sophia University
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Haraguchi Masaru
Renesas Technology Corporation
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河内 剛志
広大理
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山縣 浩作
阪大院理
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蒲生 健次
大阪大 基礎工
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Fujii K
Osaka Univ. Osaka
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Fujii Ken-ichi
Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University
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Namba Susumu
Nagasaki Institute Of Applied Science
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TAKAOKA Sadao
Faculty of Science, Osaka University
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YUBA Yoshihiko
Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering Sciense, Osaka University
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Junichi Yanagisawa
Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University:research Cent
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Yuba Yoshihiko
Department Of Physical Science Graduate School Of Engineering Science Osaka University
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佐野 泰弘
大阪大学大学院理学研究科
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大山 忠司
大阪大学大学院 理学研究科
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田村 昌望
広大理
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香山 二郎
阪大理
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藤井 研一
大阪大学大学院理学研究科
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蒲生 健次
大阪大学大学院基礎工学研究科
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中村 正樹
阪大院理
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菅野 浩
阪大理
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鷹岡 貞夫
阪大・院理・物理
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音 賢一
阪大・院理・物理
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邑瀬 和生
阪大・院理・物理
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半沢 弘昌
阪大基礎工
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工藤 厚志
阪大理
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筒井 雄介
阪大理
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Ahmed H
Univ. Cambridge Cambridge Gbr
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松田 理
大阪大学理学部
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Grekos Panagiotis
広大理
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上田 千鶴
広大理
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竹内 日出雄
滋賀県立大工
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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橋本 哲
京教大
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橋本 哲
京都教育大
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谷口 雅樹
広大大学院理:広大放射光セ
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小林 融弘
阪大基礎工
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中島 尚男
兵庫大
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山室 修
東京大学物性研究所
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仲武 昌史
広大理
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遠藤 将一
阪大極限科学セ:crest
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王 勇
サイボックス
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山室 修
阪大院理
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大山 忠司
阪大理
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長谷川 繁彦
阪大・産研
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長谷川 繁彦
大阪大学産業科学研究所
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大山 忠司
阪大教養
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大山 忠司
大阪大学大学院理学研究科
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松尾 隆祐
阪大院理
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小林 融弘
阪大院基礎工
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前橋 兼三
阪大産研
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田中 耕平
阪大院理
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村上 俊介
阪大院理
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村上 弘剛
阪大院理
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中村 光孝
高工研
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斉藤 裕一
阪大理
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西原 克浩
広大理
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二瓶 史行
NEC 基礎研
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中村 和夫
NEC 基礎研
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Matsuda Osamu
Department of Cardiology, Toyohashi heart center
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澁谷 幸司
阪大院理
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松本 和彦
産業技術総合研究所
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田中 崇敏
阪大院理
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松本 和彦
電子技術総合研究所
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半沢 弘昌
阪大院基礎工
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木村 真三
東理大山口短大
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浦生 健次
阪大基礎工
-
松本 和彦
産業技術総合研
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前橋 兼三
大阪大学産業科学研究所
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大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
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中島 尚男
大阪大学産業科学研究所
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木村 憲泰
大阪大学産業科学研究所
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佐藤 正道
大阪大学産業科学研究所
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岩根 正晃
大阪大学理学部
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下村 哲
阪大基礎工
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冷水 佐壽
阪大基礎工
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林 真臣
北陸先端大材料
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INOUE Koichi
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University
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駒峯 達也
阪大院理
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中村 泰幸
阪大基礎工
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GLRIAT W.
Centre de Fisica.IVIC.Venezwels
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竹内 日出雄
阪大理
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Wang Yong
Department Of Information & Image Sciences Chiba University
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Chaudhri S
Indian Association For The Cultivation Os Science
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Namba Susumu
Faculty Of Engineering Science Osaka University
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Namba Susumu
Faculty Of Engineering Science And Research Center For Extreme Materials Osaka University
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GAMO Kenji
Faculty of Engineering Science, Osaka University
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開 康子
広大理
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開 康子
広島大理
-
YAMAMOTO Takahiro
Department of Materials Engineering, University of Tokyo
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OCHIAI Yukinori
Fundamental Res. Labs., NEC Corporation
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MATSUI Shinji
Fundamental Res. Labs., NEC Corporation
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Gamo Kenji
Graduate School of Engineering Science, Osaka University
-
NAGAO Taro
Department of Physics,Graduate School of Science,Osaka University
-
MURASE Kazuo
Research Center of Extreme Materials, Osaka University
-
Gamo Kenji
Faculty Of Engineering Science And Research Center For Extreme Materials Osaka University
-
西 清次
沖電気工業
著作論文
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- 30pZD-8 融液急冷 Ge-Se ガラスの構造および構造変化
- 22pYP-12 ネットワークガラスの構造緩和および硬さの相転移
- 25pL-8 GeSe系ガラスの構造緩和とネットワークの変化
- 27aC-6 Ge-(S, Se)系バルクガラスの構造および低振動数モード
- 27aC-5 GeSe_2ガラスの共鳴ラマン散乱と局所構造
- 29a-S-8 g-Ge_xSe_ガラス転移における構造緩和
- 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
- カルコゲナイドガラスの構造と物性 (特集 カルコゲナイドガラス)
- アモルファスゲルマニウムカルコゲナイドの構造と物性--中距離構造と光誘起結晶化 (アモルファス半導体と新材料) -- (カルコゲナイドガラス)
- 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
- 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
- 29p-ZF-6 結晶GeSe_2のフォノンモードの同定と共鳴ラマン散乱
- 29a-S-9 Ge_xSe_ガラスの低振動数ラマン散乱
- X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
- Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
- 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
- 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
- 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
- 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 28pTC-7 硬さの相転移におけるネットワークガラスのダイナミクス
- 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
- 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 22pYP-11 Ge_xSe_ガラスの光学的振動モードラマンスペクトルの温度依存性
- 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
- 25pL-9 アモルファスSi/SiO_2多層膜のa-Siのラマン散乱
- Electron Captureに関するSpin polarization effect : 半導体 (化合物, その他)
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 縦型結合ドット配列中の電子状態
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
- 29p-ZF-5 アモルファスGeSe_2薄膜のフォトルミネッセンス
- 26p-YE-12 Ge-(Se,S)系ガラスにおける硬さのパーコレーション
- 26p-YE-11 Ge-S-Se三元系ガラスにおけるカルコゲン原子の選択的サイト占有
- 26p-YE-5 結晶GeSe_2の時間分解フォトルミネッセンス
- 31p-YJ-5 g-Ge_xSe_の低エネルギーラマンスペクトルの温度依存性
- 31p-YJ-4 Ge(S_xSe_)_2ガラスの四面体間相互作用
- 31p-YJ-3 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス : 温度依存性
- 31p-YJ-2 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス : 励起エネルギー依存性
- 31p-YH-7 Zn_Mn_xS微結晶の光学特性
- 6p-YL-10 Ge_xSe_ガラスにおける低振動数モードと硬さのパーコレーションとの相関性
- 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
- 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
- 28p-W-15 アモルファスGe_xSe_系の正・逆光電子分光
- 29p-X-11 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子スペクトルとラマンスペクトル
- 28p-YQ-10 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子分光
- 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
- 12a-DF-12 a-Si/SiO_2多層膜のレーザーアニーリング
- Investigation of Hall Resistivity in Antidot Lattices with respect to Commensurability Oscillations
- On the Mechanism of Commensurability Oscillations in Anisotropic Antidot Lattices
- Current-Direction-Dependent Commensurate Oscillations in GaAs/AlGaAs Antidot Superlattice
- 29a-M-6 量子ホール効果状態での伝導度と電気容量
- 29a-M-6 量子ホール効果状態での伝導度と電気容量
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
- 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
- 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
- 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
- 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
- 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
- 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
- 3a-J-13 薄膜g-GeSe_2の光誘起結晶化
- 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
- 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
- 30p-ZE-8 斜め磁場における2層2次元電子系のサイクロトロン有効質量
- 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
- 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- Potential Modulation of Semiconductor Dot Array System due to Photoexcitation
- Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices
- Investigation of Photoresponse in Photoconducting Semiconductor-Superconductor Microstructure
- Transport Properties and Fabrication of Coupled Electron Waveguides
- Evaluation of Edge Channel Width by Frequency Dependence of Capacitance Minima in Quantum Hall Regime
- Magnetic Electron Focusing Effect in GaAs/AlGaAs Heterostructure with Gate-Controlled Byway Channel
- Magnetotransport in Hexagonal and Rectangular Antidot Lattices
- Grain Boundary Structure and Bandtail Transport in High Mobility Poly-Si TFTs
- Investigation of In Situ Process for GaAs/AlGaAs Buried Quantum Wires
- Fabrication and Magnetotransport of One-Dimensional Lateral Surface Superlattice Fabricated by Low-Energy Ion Irradiation
- Magnetotransport in One-Dimensional Lateral Surface Superlattice Fabricated by Low-Energy Argon Ion Irradiation
- Variable-Range Hopping in Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor
- Electrical Conductions of High Mobility Poly-Si Thin Film Transistors at Low Temperatures
- Estimation of Damage Induced by Focused Ga Ion Beam Irradiation
- Transport Properties of Coupled Electron Waveguides Buried irn Heterostructure
- Single Particle Relaxation Times from Shubnikov-de Haas Oscillations in Antidot Structures
- 24pL-6 二次元電子系のサイクロトロン共鳴の面内効果
- 23aL-13 エッジ幅の占有数依存性
- 23aL-12 Si-MOSのエッジチャネル
- 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
- 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
- 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
- 31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
- 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 5a-J-8 アンチドット構造における不規則性の効果
- 2a-J-3 K_2Seをドープした結晶GeSe_2の共鳴ラマン散乱
- 29a-G-11 K_2Seをドープした結晶GeSe_2のラマン散乱
- 1a-M-13 GaAs/AlGaAsにおける静電容量と量子ホール効果
- 1a-M-12 ゲートで制御した2次元電子系の量子伝導
- 27p-P-2 2次元電子系でのとじ込めポテンシャルと非局所抵抗
- 27p-P-1 GaAs/AlGaAs細線での量子伝導とエッジ電流
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- 31p-F-8 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス測定
- 29p-X-12 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンスの励起エネルギー依存性
- 29a-YL-6 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンス
- 29p-X-13 Ge-Se系バルクガラスにおけるフロッピーモードの温度依存性
- 29p-X-10 GeSe_2のガラス転移のラマン散乱測定
- 29a-YL-5 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化過程におけるレーザースポットサイズ依存性
- 29a-YL-4 アモルファス / 結晶および液体GeSe_2のラマンスペクトルの温度依存性
- 3a-J-14 バルクガラスおよび結晶GeS_2のフォトルミネセンススペクトル
- アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化と中距離構造(基研短期研究計画「構造不規則系におけるダイナミックス」報告,研究会報告)
- 30p-L-7 アモルファスGeS_2のフォトルミネセンス測定
- 30p-L-6 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存症
- 25pZ-12 カルコパイライト半導体薄膜のラマンスペクトル
- 30p-Q-6 量子ホール効果におけるエッジチャネル間の電気容量
- 30p-Q-6 量子ホール効果におけるエッジチャネル間の電気容量
- 24pD-6 エッジチャネル間の電気容量測定と問題点
- 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
- 28a-ZB-4 電気容量法によるエッジチャネルの分離距離測定
- 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
- 26p-YG-9 量子ホールプラトーでの異なるエッジチャネル間の電気容量
- Quantum Transport in PtSi Thin Films and Narrow Wires
- Transport Properties in Hexagonal Arrays of Antidots with Different Carrier Densities
- Structural Changes at Glass-Transition in Ge_xSe_ Studied by Raman Scattering
- 28p-R-6 電流を流した状態における量子ホールプラトーでの電気容量
- 28p-R-6 電流を流した状態における量子ホールプラトーでの電気容量
- 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
- 量子ホールプラトーにおける電気容量の電流依存性
- 31a-YA-1 GaAs/A1GaAsにおける非局所抵抗の試料依存性
- 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAsの多端子素子での非局所抵抗
- 29a-M-12 Si-MOSFETとGaAs/AlGaAs の多端子素子での非局所抵抗
- 半導体メゾスコピック構造における量子効果とその応用(精密工学における電子論)
- 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
- 7p-N-13 二次元電子系における平行磁場によるフェルミ面の異方性
- 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
- 28a-R-2 磁気電子フォーカス効果と平行磁場
- 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
- 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
- 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
- 29a-L-7 量子ホール効果での静電容量とエッジチャネル
- 29a-L-6 コルビノ形状での量子ホール効果と静電容量
- 29a-L-5 非局所抵抗におけるエッジ電流とバルク電流の緩和
- Confinement Potential in an Asymmetrically Biased Quantum Point Contact
- 30p-L-5 断続的な光照射によるa-GeSe_2の光誘起結晶化過程
- 31p-M-11 a-GeSe_2 の光誘起結晶化のサイズ依存性
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- 24pD-9 斜め磁場下の量子ホール状態での電気容量
- 量子ホール効果におけるエッジ状態と電気伝導(量子ホール効果及び関連する物理,研究会報告)
- 量子ホール効果におけるエッジ状態と電気伝導(基研研究会「量子ホール効果及び関連する物理」,研究会報告)
- 平行強磁場下の2次元電子系におけるバリスティック電気伝導
- 分数量子ホール効果におけるエッジチャネル
- 低温・強磁場下の電気容量測定
- 12a-DF-18 結晶GeSe_2のフォトルミネッセンス
- 31p-M-9 ゲルマニウムカルコゲナイドのフトルミネッセンス
- 12a-K-10 量子ホール効果におけるエッジ電流と静電容量
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- 量子ホ-ル効果と磁気電気容量
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