Electrical Conductions of High Mobility Poly-Si Thin Film Transistors at Low Temperatures

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人応用物理学会の論文
• 1994-03-15

著者

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• Takaoka S

  Graduate School Of Science Osaka University

• Murase K

  Ntt Corp. Kanagawa Jpn

• MURASE Kazuo

  Faculty of Science, Osaka University

• TAKAOKA Sadao

  Faculty of Science, Osaka University

• Murase Kazuo

  Faculty Of Science Osaka University

• SERIKAWA Tadashi

  NTT Interdisciplinary Research Labs.

• SHIRAI Seiiti

  NTT Interdisciplinary Research Labs.

• ISHIDA Shuichi

  Science University of Tokyo in Yamaguchi

• Shirai Seiichi

  NTT Interdisciplinary Research Labs.

• Sakamoto Toshitugu

  Faculty Of Engineering Science Osaka University

• Murase K

  Graduate School Of Science Osaka University

• Shirai Seiiti

  Ntt Interdisciplinary Research Laboratories

• Ishida Shuichi

  Division Of Cardiovascular Medicine Department Of Internal Medicine Ohmori Hospital Toho University

• Shirai S

  Ntt Interdisciplinary Research Labs.

• Serikawa T

  Ntt Cyber Space Lab. Tokyo Jpn

• Serikawa Tadashi

  Ntt Interdisciplinary Research Laboratories

関連論文

• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 30pZD-8 融液急冷 Ge-Se ガラスの構造および構造変化
• 22pYP-12 ネットワークガラスの構造緩和および硬さの相転移
• 25pL-8 GeSe系ガラスの構造緩和とネットワークの変化
• 27aC-6 Ge-(S, Se)系バルクガラスの構造および低振動数モード
• 27aC-5 GeSe_2ガラスの共鳴ラマン散乱と局所構造
• 29a-S-8 g-Ge_xSe_ガラス転移における構造緩和
• 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
• カルコゲナイドガラスの構造と物性 (特集 カルコゲナイドガラス)
• アモルファスゲルマニウムカルコゲナイドの構造と物性--中距離構造と光誘起結晶化 (アモルファス半導体と新材料) -- (カルコゲナイドガラス)
• 28pTC-9 Ge_xSe_(X=0.30〜0.37)ガラスのナノ相分離
• 28pTC-8 アモルファスGe_xSe_薄膜の熱アニール効果と光励起緩和過程
• 29p-ZF-6 結晶GeSe_2のフォノンモードの同定と共鳴ラマン散乱
• 29a-S-9 Ge_xSe_ガラスの低振動数ラマン散乱
• X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
• Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
• 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
• 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
• 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
• 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
• 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
• 20aYH-12 AFMで微細加工した2次元電子系におけるWeiss振動
• 18pYH-2 多重細線ゲートの電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 17pYG-10 量子ホール系でのアンチドット超格子の磁気電気容量
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 28pTC-7 硬さの相転移におけるネットワークガラスのダイナミクス
• 27pTC-12 微細ゲートを用いた電気容量測定によるエッジチャネルの空間分布
• 27pTC-11 量子ホール状態における二層二次元電子系の磁気電気容量
• 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
• 磁気電子フォーカス効果で見た2次元電子系への面内磁場による影響
• 22pYP-11 Ge_xSe_ガラスの光学的振動モードラマンスペクトルの温度依存性
• 23pSA-11 二層二次元電子系の磁気電気容量
• 25pL-9 アモルファスSi/SiO_2多層膜のa-Siのラマン散乱
• Electron Captureに関するSpin polarization effect : 半導体 (化合物, その他)
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
• 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
• 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
• 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
• 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
• 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
• アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
• 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
• 異方アンチドット系における電気伝導度
• 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
• 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
• 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
• 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
• 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
• 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
• 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
• GaAs(110)微傾斜面上のAlGaAs分子線成長と量子細線構造の形成
• 29p-ZF-5 アモルファスGeSe_2薄膜のフォトルミネッセンス
• 26p-YE-12 Ge-(Se,S)系ガラスにおける硬さのパーコレーション
• 26p-YE-11 Ge-S-Se三元系ガラスにおけるカルコゲン原子の選択的サイト占有
• 26p-YE-5 結晶GeSe_2の時間分解フォトルミネッセンス
• 31p-YJ-5 g-Ge_xSe_の低エネルギーラマンスペクトルの温度依存性
• 31p-YJ-4 Ge(S_xSe_)_2ガラスの四面体間相互作用
• 31p-YJ-3 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス : 温度依存性
• 31p-YJ-2 GeSe_2ガラスの時間分解フォトルミネッセンス : 励起エネルギー依存性
• 31p-YH-7 Zn_Mn_xS微結晶の光学特性
• 6p-YL-10 Ge_xSe_ガラスにおける低振動数モードと硬さのパーコレーションとの相関性
• 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
• 28pYS-6 2次元電子系の磁気キャパシタンスとテラヘルツ分光
• 28p-W-15 アモルファスGe_xSe_系の正・逆光電子分光
• 29p-X-11 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子スペクトルとラマンスペクトル
• 28p-YQ-10 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子分光
• 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
• 12a-DF-12 a-Si/SiO_2多層膜のレーザーアニーリング
• Investigation of Hall Resistivity in Antidot Lattices with respect to Commensurability Oscillations
• On the Mechanism of Commensurability Oscillations in Anisotropic Antidot Lattices
• Current-Direction-Dependent Commensurate Oscillations in GaAs/AlGaAs Antidot Superlattice
• 29a-M-6 量子ホール効果状態での伝導度と電気容量
• 29a-M-6 量子ホール効果状態での伝導度と電気容量
• 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
• 28a-ZB-7 線幅に依存しない量子ホール効果のブレークダウン現象
• 28a-T-4 アンチドットを含む二次元電子系での量子ホール効果のブレークダウンとその不安定現象
• 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果ブレークダウン現象
• 8a-N-7 アンチドット系における量子ホール効果のブレークダウン現象
• 24pL-4 斜め磁場でのWeiss振動
• 26aC-7 逆HEMT2次元電子系におけるフォーカス効果と平行磁場
• 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
• 29a-ZB-2 平行磁場下の磁気電子フォーカス効果で見たフェルミ面の異方性
• 3a-J-13 薄膜g-GeSe_2の光誘起結晶化
• 31a-YA-2 平行磁場によるバリスティック散乱長の変化
• 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
• 27a-X-8 磁気電子フォーカス効果における平行磁場の影響
• 30p-ZE-8 斜め磁場における2層2次元電子系のサイクロトロン有効質量
• 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性
• 26a-YG-5 2層2次元電子系におけるサイクロトロン質量の平行磁場依存性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク