poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1996-09-13
著者
-
石田 修一
山口東理大
-
邑瀬 和生
阪大理
-
音 賢一
阪大理
-
鷹岡 貞夫
阪大理
-
鷹岡 貞夫
阪大院理
-
白井 誠一
Ntt境界研
-
邑瀬 和生
大阪教養
-
芹川 正
Nttエレクトロニクスlsi事業部saセンター
-
芹川 正
NTT境界研
関連論文
- 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-13 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子の弱反局在の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28pPSB-11 SnドープInSb/GaAs(100)薄膜の面内磁場弱反局在のスピン : 軌道相互作用とドーピング効果(領域4ポスターセッション)(領域4)
- 22pTL-4 GaAs(100) 基板 InSb 薄膜の 2 次元弱局在とスピン-軌道相互作用
- 21pPSB-10 InSb/GaAs(100) ヘテロ界面 2 次元電子系の弱反局在効果
- 21pPSB-9 Sn ドープ InSb 薄膜強磁場 Shubnikov-de Haas 効果 II
- 29aZK-12 Sn ドープ InSb 薄膜の強磁場 Shubnikov-de Haas 効果
- 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
- 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- 3a-TC-15 a-GeSe_2中のフォトドーパントAg・Cuによる光電子スペクトル
- 3a-TC-14 a-GeSe_2のSeコアエキシトンによる共鳴光電子放出
- 4p-A-14 コア・スペクトルからみたa-GeSe_2の中距離構造のフォト・ドーピング効果
- 4p-A-13 フォト・ドーピングされたa-GeSe_2の光電子スペクトル
- 31p-F-12 Ge-(S, Se)系バルクガラスにおける構造次元性とフラクタル性
- X=0.07近傍のGe_XSe_結晶相
- Eu^ドープGeS_2ガラスのイオン-格子相互作用
- 結晶GeSe_2の共鳴ラマンスペクトル
- 31p-F-11 Ge(S_xSe_)_2ガラスのフォトルミネッセンススペクトル形状の励起エネルギー依存性
- 31p-F-10 Ge_xSe_ガラスのラマンスペクトルの温度依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 27a-P-7 GaAs/AlGaAs多端子構造における磁気電子フォーカス効果
- 27p-B-11 GaAs/AlGaAs多端子素子での電子フォーカス効果
- 4p-N-11 n-InSbのサブミリ波サイクロトロン共鳴
- 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
- 30a-M-10 低温, 高圧における量子強誘電的半導体の新しい抵抗異常と誘電率異常
- 2a-N-2 PbTe-SnTe半導体中のIII族不純物の電子 : 格子強結合
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- poly-Si MOS FETの弱局在
- poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
- 30p-YN-9 高易動度 Poly-Si TFT の電子局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 28p-L-12 多結晶Si-薄膜トランジスターのアンダーソン局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 12a-K-13 多結晶Si薄膜トランジスタの強局在
- 29p-T-5 PtSi超薄膜のアンダーソン局在
- 26a-P-12 PtSi超薄膜の超伝導と局在
- 28a-B-2 PtSi薄膜の位相緩和時間
- 26p-ZB-4 Ptsi細線の位相緩和時間
- 6a-B1-8 GaAs-AlGaAs極微構造における非対称磁気抵抗のゆらぎ
- 6a-B1-7 GaAs細線の低温電気伝導のゆらぎ(II)
- 28a-Q-7 選択ドープGaAs-AlGaAs細線の電気伝導
- 30a-RB-6 高濃度にイオン注入したSi:Sb薄膜および細線の電気伝導
- 30a-RB-5 PtSi極微細線の電気伝導
- 29a-A-4 極微GaAs細線の電気伝導
- 14p-W-6 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 3a-KL-9 GaAsの表面ラマン散乱のキャリヤー濃度依存性
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- アンチドット系の格子配置とホール抵抗の消失
- 1a-E-12 周期アンチドット系における磁気抵抗の弱磁場領域でのふるまい
- 異方アンチドット系における電気伝導度
- 28a-X-5 異方アンチドット系における電気伝導度
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 31p-N-10 アンチドット系における整合振動の電流方向依存性
- 5a-J-9 磁気電子フォーカス効果における"端子反射"のメカニズム
- 28p-L-8 2次元電子系における不規則アンチドット構造の効果
- 28p-L-7 磁気電子フォーカス効果における電子出射分布と端子反射
- 13a-K-2 ゲート制御したGaAs/AlGaAs多端子素子における磁気電子フォーカス効果
- 2p-D-9 ZnSxSe_ MBE薄膜のラマン散乱
- 3a-C-7 ZnSxSe1-x エピタキシャル薄膜のラマン散乱
- 23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21aTH-1 InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26p-ZB-3 GaAs細線における位相コヒーレンス長
- 11p-N-4 PbTe-Pb_Sn_Te超格子のサイクロトロン共鳴
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- 31p-YH-7 Zn_Mn_xS微結晶の光学特性
- 29a-S-7 非晶質 GeSe_2 の結晶化温度の試料作成法依存性
- 29p-X-9 多結晶PbTe極微細線におけるアンダーソン局在
- 28p-W-15 アモルファスGe_xSe_系の正・逆光電子分光
- 29p-X-11 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子スペクトルとラマンスペクトル
- 28p-YQ-10 アモルファスGe-Se-Bi薄膜の正・逆光電子分光
- 31p-M-10 Ag,Cuをフォトドープした a-GeSe_2 の伝導帯構造
- 12a-DF-12 a-Si/SiO_2多層膜のレーザーアニーリング
- 3p-ZE-9 GaAs/AlGaAs量子細線の磁気抵抗振動
- 2a-B-7 IV-VI族半導体の構造相転移と電気抵抗異常
- 9p-R-5 ラマン散乱によるp-SnTe相転移のキャリヤー濃度依存性
- 2p-R-10 n-GaAsのフォノン-減衰プラズモン結合モードによるラマン散乱
- 24a-M-12 PbTe薄膜及び細線の反局在効果
- 29p-PS-33 Y系酸化物超伝導体薄膜の電気伝導
- 30a-W-4 GeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性と励起エネルギー依存性
- 29p-B-9 単結晶およびアモルファスGeSe_2のフォトルミネッセンスの温度依存性
- 26p-M-5 GeSe_2微粒子のラマン散乱
- 8a-F-6 Ge/deep level impurityのサイクロトロン共鳴
- Quenched-in Vacancyを含むGeのサイクロトロン共鳴 : 半導体(理論, サイクロトロン共鳴)
- 29p-ZK-11 アンチドット構造上の電子ピンボール
- 27a-SB-18 ストイキオメトリー・ガラスGe(S, Se)の中距離構造と次元性
- 27a-SB-17 (Ge, Sn)カルコゲナイドガラスのクラスター中のSnの配置