29aZK-12 Sn ドープ InSb 薄膜の強磁場 Shubnikov-de Haas 効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2003-03-06

著者

• 岡本 敦

  旭化成エレクトロニクス

• 柴崎 一郎

  旭化成

• 石田 修一

  山口東理大

• 菅 健一

  阪大極限セ

• 金道 浩一

  阪大極限セ

関連論文

• 磁気抵抗素子回転検出センサによる列車速度・位置検出の可能性
• SnドープInSb単結晶薄膜を用いた半導体磁気抵抗素子の特性と歯車回転検出応用
• SnドープInSb単結晶薄膜の磁気抵抗効果と回転検出特性
• 28pPSB-14 AlGaAsSb/InAs量子井戸2次元電子のスピン-軌道相互作用の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSB-13 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子の弱反局在の負の永久光伝導効果(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-71 AlGaAsSb/InAs量子井戸の磁気輸送現象(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-70 InSb/GaAsヘテロ界面2次元電子系の電子間相互作用による磁気抵抗(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pPSB-11 SnドープInSb/GaAs(100)薄膜の面内磁場弱反局在のスピン : 軌道相互作用とドーピング効果(領域4ポスターセッション)(領域4)
• 22pTL-4 GaAs(100) 基板 InSb 薄膜の 2 次元弱局在とスピン-軌道相互作用
• 21pPSB-10 InSb/GaAs(100) ヘテロ界面 2 次元電子系の弱反局在効果
• 21pPSB-9 Sn ドープ InSb 薄膜強磁場 Shubnikov-de Haas 効果 II
• 29aZK-12 Sn ドープ InSb 薄膜の強磁場 Shubnikov-de Haas 効果
• GaAs基板上へのInSb薄膜の成長
• 22pPSA-79 CDW物質η-Mo_4O_の特異な量子ホール効果と磁場誘起Shubnikov-de Haas振動(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
• 26p-PSA-35 近藤絶縁体YbB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
• 30a-W-4 近藤半導体YbB_単結晶の強磁場抵抗と磁化の異方性
• 23pSE-5 UPdInの高圧下、強磁場磁化過程
• Tb-Doped Glassの強磁場磁化過程とファラデー効果
• 2p-Z-2 Sm_Gd_xCuO_4の強磁場磁性
• Ce_La_Pの強磁場磁化測定
• 高感度帯磁率測定装置によるD_2Oの反磁性測定
• 31p-YG-5 高感度帯磁率測定装置による水の反磁性測定
• 29a-YL-2 U_XLa_Ru_2Si_2の強磁場ESR
• 29a-YN-10 Ce_xLa_Pの強磁場磁性
• 13a-W-9 La_2CuO_4の強磁場ESR
• 13a-W-7 URu_2Si_2の強磁場ESRIII
• 29p-B-9 URu_2Si_2の強磁場ESR I
• 27a-L-4 URu_2Si_2の強磁場ESR
• 27a-L-3 Gd_2CuO_4のESR
• 26p-L-5 Cr-dimerのESR
• 26p-L-3 NENP系物質の強磁場ESR
• ハルデン状態における素励起
• 29p-APS-60 DyCu_2の強磁場下におけるIsing-axis転換
• 25a-F-1 Nd_2CuO_4のAFMR
• 28aXL-11 強磁性相互作用を含むデルタ鎖モデル物質の強磁場磁化過程とESR(量子スピン系(一次元))(領域3)
• 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
• 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
• 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
• 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
• 12pPSA-2 室温強磁性 Mn ドープ GaN の研究(領域 4)
• 28a-YG-8 (Sm_xGd_)_2CuO_4のESR II
• 3p-H-4 (Sm_xGd_)_2CuO_4のESR
• 24p-F-4 CsMnBr_3のAFMR
• 一次元細孔中の酸素分子の磁性
• 一次元細孔中の酸素の磁性
• 30p-PSB-34 Ce_3Pt_3Bi_4及びCe_3Au_3Bi_4の物性
• 28a-YF-2 LaCoO_3の磁化と電子状態
• 3p-Z-8 U_2T_2Snの強磁場磁化 (T=遷移金属元素)
• 3p-Z-7 U_2T_2Inの強磁場磁化 (T=遷移金属)
• 30aYK-5 近藤半導体YbB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
• 22pPSA-7 Yb_Lu_xB_における強磁場磁気抵抗の温度依存性
• 24aZH-7 近藤半導体YbB_のLu希釈効果 : パルス強磁場による磁化と磁気抵抗
• 24pH-2 近藤絶縁体YbB_の強磁場における異方性
• 24pH-1 Yb_Lu_xB_の強磁場磁化と磁気抵抗
• 30a-W-2 CeRhSbの強磁場磁化とホール抵抗
• 5a-YF-3 CeRhSbの磁気抵抗とホール効果
• 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
• 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
• 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
• 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
• 24aE-11 Cs_2TCNQ_3および(Nme_4)_2TCNQ_3のプロトンNMR
• 31a-YN-1 TbNiSn, DyNiSn単結晶の磁気抵抗
• 31pXG-5 スピン 1/2 カゴメ格子反強磁性体の磁化過程
• 28a-YE-1 dilute-UAl_2の物性
• 14pPSB-27 パルス強磁場を用いたドハース・ファンアルフェン効果の装置開発(f-電子系, 領域 8)
• 12pWG-1 量子スピン系 KCuCl_3 の強磁場磁歪測定(量子スピン系 : 一次元及びクラスター, 領域 3)
• 12aPS-64 TmMn_6Sn_Ga_x における Ga ドープ量による磁化容易軸の変化(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 27aPS-111 パルス・ドハース法の開発(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
• 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• poly-Si MOS FETの弱局在
• poly-Si MOSFETの広範囲ホッピングにおける負の磁気抵抗
• 23aWH-13 InAs/AlGaSbAs量子井戸の斜め磁場下でのランダウ準位(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 量子井戸型InAsホール素子を用いた高感度リニアホールICとそれを応用した電流センサ
• 21aTH-1 InAs/AlGaSbAs電子・正孔共存系の量子ホール効果(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• ナノ・バイオスクリーニングシステムの開発を目指したInSb薄膜ホール素子による磁性微粒子の検出
• AlInSb層でサンドイッチしたInAsSbの特性と磁気センサ応用
• 17pYH-9 GaN:Mn膜の高温磁化過程とその電気伝導
• 17pYH-7 NH_3-MBEによるGaMnN膜の成長
• 27aYS-9 磁性不純物をドープしたBi_2Te_3の磁気特性
• 25aL-4 層状半導体Bi_Sn_xTe_3における量子ホール効果II
• 12aPS-52 BaVS_3 のスピンギャップと金属-絶縁体転移(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 21aPS-8 BaVS_3 の強磁場下における輸送特性
• 先達からのメッセージ 研究開発に於ける異業種、違和感体験の効用と教訓 ホール素子開発の体験に学ぶ
• 29a-PS-12 R_2Fe_17系単結晶の強磁場磁化過程と結晶場
• 固体中の電子に働くローレンツカの生徒実験 : 生徒の理解プロセスとその指導
• 化合物半導体簿膜ホ-ル素子 (特集 化合物半導体の可能性を再点検する)
• 薄膜ホール素子の開発とセンサ応用
• 電気学会東京支部沼津支所便り
• 12aPS-63 単結晶 ErMn_6Sn_6 の強磁場磁化測定(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
• 27aPS-110 ホール素子によるパルス強磁場下磁化測定(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
• 24pPSA-70 ホール素子を用いたパルス強磁場中磁化測定法の開発(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 7aWB-11 希薄磁性半導体GaN:Mn薄膜の磁気共鳴(電子スピン共鳴(量子スピン系,磁気共鳴一般),領域3)
• 8pPSA-2 希薄磁性半導体Ga_Mn_xNの強磁場磁化測定(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
• 25aXP-10 稀薄磁性半導体GaN:Mnの磁性と伝導(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 25pPSA-10 室温強磁性希薄磁性半導体GaN:Mnの磁気特性(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
• 25aXP-9 NH_3-MBE成長GaN:Mn膜の磁気的特性、結晶学的特性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク