菅 健一 | 阪大極限セ
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概要
関連著者
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菅 健一
阪大極限セ
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金道 浩一
阪大極限セ
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北陸先端大
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堀 秀信
北陸先端大
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佐々木 敬彦
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(株)アルバック
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阪大極限セ
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(株)アルバック
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堀 秀信
北陸先端大・材料
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山本 良之
北陸先端科学技術大学院大学・マテリアルサイエンス研究科
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JAIST
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京工繊工芸
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木村 尚次郎
阪大極限セ
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阪大極限セ
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Kulbachinskii V.
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Shiga Masayuki
Department Of Material Science And Engineering Kyoto University
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V.a Kulbachinskii
Moscow State Univ.
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Kulbachinskii V.
Physics Faculty Moscow State Univ.
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Shiga Masayuki
Spring-8
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宮嶋 直樹
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鳴海 康雄
Crest:阪大極限セ
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大西 彰正
山形大理
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根岸 彩子
広大放射光セ
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根岸 彩子
広大院先端物質
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阪大極限セ
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Kaminskii Yu.
モスクワ大
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佐藤 真直
Jasri
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勝又 紘一
理研播磨研
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本多 善太郎
埼玉大工
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園田 早紀
阪大院基礎工
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阪大院基礎工
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阪大院基礎工
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阪大院基礎工
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日本真空技術(株)
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山田 興治
埼玉大工
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根岸 寛
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川崎 信太郎
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山田 興治
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山田 興治
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阪大極限セ
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鳴海 康雄
理研播磨研
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Domenge J.
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Sindzingre P.
パリ弟6大学
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Lhuillier C.
パリ弟6大学
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Bruck E
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Buschow K
Universiteit Van Amsterdam
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Venturini G.
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園田 早紀
(株)アルバック 技術開発部
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Kulbachinskii V.
Moscow State Univ.
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菅 健一
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清水 三郎
日本真空技術
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志賀 正幸
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鳴海 康雄
大阪大極限セ
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菅 健一
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木村 尚次郎
大阪大極限セ
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金道 浩一
大阪大極限セ
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山崎 朋秋
京都大人環
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Lefevre C
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De Boer
阪大極限セ
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Lefevre C
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北陸先端大材料
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SPring8
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アルバック(株)
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堀 秀信
アルバック(株)
-
佐藤 真直
SPring-8/JASRI
著作論文
- 21pPSB-9 Sn ドープ InSb 薄膜強磁場 Shubnikov-de Haas 効果 II
- 29aZK-12 Sn ドープ InSb 薄膜の強磁場 Shubnikov-de Haas 効果
- 22pPSA-79 CDW物質η-Mo_4O_の特異な量子ホール効果と磁場誘起Shubnikov-de Haas振動(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 12pPSA-2 室温強磁性 Mn ドープ GaN の研究(領域 4)
- 31pXG-5 スピン 1/2 カゴメ格子反強磁性体の磁化過程
- 17pYH-9 GaN:Mn膜の高温磁化過程とその電気伝導
- 17pYH-7 NH_3-MBEによるGaMnN膜の成長
- 27aYS-9 磁性不純物をドープしたBi_2Te_3の磁気特性
- 25aL-4 層状半導体Bi_Sn_xTe_3における量子ホール効果II
- 12aPS-52 BaVS_3 のスピンギャップと金属-絶縁体転移(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 21aPS-8 BaVS_3 の強磁場下における輸送特性
- 12aPS-63 単結晶 ErMn_6Sn_6 の強磁場磁化測定(磁性・磁気共鳴, 領域 3)
- 27aPS-110 ホール素子によるパルス強磁場下磁化測定(領域3ポスターセッション : 希土類合金,化合物磁性,薄膜・人工格子,スピングラス,フラストレーション,量子スピン系,実験技術開発等)(領域3)
- 24pPSA-70 ホール素子を用いたパルス強磁場中磁化測定法の開発(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 7aWB-11 希薄磁性半導体GaN:Mn薄膜の磁気共鳴(電子スピン共鳴(量子スピン系,磁気共鳴一般),領域3)
- 8pPSA-2 希薄磁性半導体Ga_Mn_xNの強磁場磁化測定(薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性講演,領域3)
- 25aXP-10 稀薄磁性半導体GaN:Mnの磁性と伝導(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 25pPSA-10 室温強磁性希薄磁性半導体GaN:Mnの磁気特性(25pPSA 薄膜・人工格子磁性,微小領域磁性,表面・界面磁性,スピングラス・ランダム系,アモルファス系,領域3(磁性,磁気共鳴分野))
- 25aXP-9 NH_3-MBE成長GaN:Mn膜の磁気的特性、結晶学的特性(25aXP 領域4,領域5合同磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))