Kulbachinskii V. | モスクワ大
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概要
関連著者
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Kulbachinskii V.
モスクワ大
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V.a Kulbachinskii
Moscow State Univ.
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井上 正
広大理
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佐々木 実
山形大理
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根岸 寛
広大理
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佐々木 実
広大理
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Kulbachinskii V
モスクワ大
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尾崎 肇
早大理工
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根岸 寛
広大院先端物質
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佐々木 実
広大院先端物質
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宮嶋 直樹
広大院先端
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Kulbachinskii V.
Physics Faculty Moscow State Univ.
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尾崎 肇
早大先進理工
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宮嶋 直樹
京大院工
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宮原 陽一
早大理工
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義満 雄一郎
広大理
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舟貝 健一
早大理工
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菅 健一
阪大極限セ
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金道 浩一
阪大極限セ
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門松 秀興
広大低セ
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井上 正
広大院先端
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V.A Kulbachinskii
モスクワ大
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金道 浩一
東大物性研
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山崎 篤志
甲南大理工
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高瀬 浩一
日大理工
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鳴海 康雄
Crest:阪大極限セ
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大西 彰正
山形大理
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根岸 彩子
広大放射光セ
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根岸 彩子
広大院先端物質
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川崎 信太郎
阪大極限セ
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Kaminskii Yu.
モスクワ大
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原 嘉昭
茨城高専
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菅 健一
東大物性研
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Kulbachinskii V.
Physics Faculty, Moscow State Univ.
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鳴海 康雄
阪大極限セ
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川崎 信太郎
阪大極限科学研究センター
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大西 彰正
山形大 理
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高 文秀
岩谷産業
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山崎 篤志
広大理
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原 嘉昭
広大理
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山田 洋
広大理
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坂東 弘之
早大理工
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Kulbachinskii V.
Moscow State Univ.
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高瀬 浩一
広大理
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奈倉 健
早大理工
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原 嘉昭
日大理工
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大西 彰正
山形大物
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高文 秀
広大理
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佐々木 実
山形大学理学部
著作論文
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 20aPS-15 バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
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- 31a-YP-8 希薄磁性半導体Hg_Mn_xTe_Se_yの電流磁気効果
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- 3a-F-9 トンネル分光による層状構造半導体Bi_2Te_3およびSb_2Te_3のバンド端構造
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- 30p-YM-10 層状半導体固溶体 Bi_Sn_xTe_3の価電子帯構造