31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1999-03-15
著者
-
佐々木 実
山形大理
-
根岸 寛
広大院先端物質
-
佐々木 実
広大院先端物質
-
宮嶋 直樹
広大院先端
-
Kulbachinskii V.
モスクワ大
-
井上 正
広大理
-
V.a Kulbachinskii
Moscow State Univ.
-
門松 秀興
広大低セ
-
井上 正
広大院先端
-
V.A Kulbachinskii
モスクワ大
-
宮嶋 直樹
京大院工
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