井上 正 | 広大院先端
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概要
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久保田 洋二
大理工
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尾崎 肇
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Marchenkov V.v.
Adsm. Inst. Met. Phys.(ekaterinburg Russia)
著作論文
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- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
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- 28a-PS-78 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定
- 29a-ZF-11 モリブデン酸化物Mo_nO_の結晶育成 II
- 29a-ZF-4 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布IV
- 26p-N-2 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構III
- 27a-YK-4 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果II
- 27a-YK-2 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗とバンド構造
- 27a-YK-1 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布III
- 28a-YD-15 高純度タングステン単結晶の磁場中過渡熱起電力効果
- 28a-YD-14 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のバルク量子ホール効果
- 25a-YF-14 ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の過渡熱起電力効果II
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果