宮嶋 直樹 | 広大院先端
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概要
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谷口 伸彦
筑波大学物理:広島大学工
著作論文
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- 25aWF-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の変形・並進運動に及ぼす端効果
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 28a-A-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のCDWダイナミックス : 鎖間相互作用の効果
- 28a-YD-14 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のバルク量子ホール効果
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 25aP-1 電荷密度波の並進運動の計算機シミュレーションII
- 25aL-4 層状半導体Bi_Sn_xTe_3における量子ホール効果II
- 24pYM-6 電荷密度波物質η-Mo_4O_における量子ホール効果の異常