佐々木 実 | 広大院先端物質
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概要
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佐々木 実
広大院先端物質
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Marchenkov V.v.
Adsm. Inst. Met. Phys.(ekaterinburg Russia)
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長友 健治
広大院先端
著作論文
- 28aTC-7 G_xTiS_2におけるゲスト原子分布と層間距離
- 28aTC-6 精密電子密度分布からみたη-Mo_4O_の電子状態
- 28aTC-5 Mo_4O_のMo-O原子間距離とbond strength
- 28aTC-4 M_xTaS_2 (M: 3d 遷移金属)における特異な輸送現象
- 28aTC-2 lT-Tas_2におけるモットギャップ内構造形成と局在-超伝導転移
- 25aWF-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の変形・並進運動に及ぼす端効果
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 25aSA-3 層間化合物Ag_xTiS_2における秩序一無秩序転移のシミュレーション
- 25aSA-2 モリブデン酸化物η-Mo_4O_の放射光を用いた電子密度レベルでの構造研究
- 25aSA-1 モリブデン酸化物Mo_nO_のXANES
- 25aL-3 低次元層状物質Mo_nO_の放射光を用いた構造研究
- 24pPSA-45 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定II
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 28a-C-9 ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の過渡熱起電力効果III
- 28a-A-7 電荷密度波の並進運動の計算機シュミレーション : 遮蔽効果
- 28a-A-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のCDWダイナミックス : 鎖間相互作用の効果
- 28a-PS-78 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定
- 29a-ZF-11 モリブデン酸化物Mo_nO_の結晶育成 II
- 29a-ZF-4 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布IV
- 26p-N-2 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構III
- 27a-YK-4 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果II
- 27a-YK-2 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗とバンド構造
- 27a-YK-1 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布III
- 28a-YD-15 高純度タングステン単結晶の磁場中過渡熱起電力効果
- 28a-YD-14 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のバルク量子ホール効果
- 25a-YF-14 ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の過渡熱起電力効果II
- 24pSB-9 SrTiO_3系縮退半導体の電子物性と過渡熱起電力効果
- 23aPS-13 過渡熱起電力効果法による高温超伝導体La_Sr_xCuO_4における擬ギャップの解明
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 25aP-1 電荷密度波の並進運動の計算機シミュレーションII
- 25aL-4 層状半導体Bi_Sn_xTe_3における量子ホール効果II
- 24pYM-6 電荷密度波物質η-Mo_4O_における量子ホール効果の異常
- 22pK-12 MnTe_Se_xにおける過渡熱起電力効果
- 25aL-2 電荷密度波物質η-Mo_4O_におけるフォノンのソフト化と電子物性への影響
- 25aL-1 層間化合物Fe_xTiS_2及びAg_xTiS_2における原子分布の比較
- 26pC-9 モリブデン酸化物Mo_nO_の輸送現象
- 26pC-8 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布 V