23aPS-13 過渡熱起電力効果法による高温超伝導体La_<2-x>Sr_xCuO_4における擬ギャップの解明

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2000-03-10

著者

• 佐々木 実

  広大院先端物質

• 呉 光日

  広大院先端

• 新井 暢仁

  日本工業大学

• 菅原 和士

  日本工業大学

• 新井 暢仁

  ヒューストン大テキサス超伝導セ

• 菅原 和士

  日工大

• 佐々木 実

  山形大学理学部

関連論文

• 28aTC-7 G_xTiS_2におけるゲスト原子分布と層間距離
• 28aTC-6 精密電子密度分布からみたη-Mo_4O_の電子状態
• 28aTC-5 Mo_4O_のMo-O原子間距離とbond strength
• 28aTC-4 M_xTaS_2 (M: 3d 遷移金属)における特異な輸送現象
• 28aTC-2 lT-Tas_2におけるモットギャップ内構造形成と局在-超伝導転移
• 25aWF-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_における電荷密度波の変形・並進運動に及ぼす端効果
• 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
• 25aSA-3 層間化合物Ag_xTiS_2における秩序一無秩序転移のシミュレーション
• 25aSA-2 モリブデン酸化物η-Mo_4O_の放射光を用いた電子密度レベルでの構造研究
• 25aSA-1 モリブデン酸化物Mo_nO_のXANES
• 27pYK-6 ゼロギャップ近傍における巨大過渡Nernst-Ettingshausen効果(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 20aPS-15 バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21aTH-10 層状物質η-Mo_4O_が示すパルス強磁場下でのカイラル表面状態(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aPS-75 ゼオライト細孔内CdI_2クラスターの光吸収スペクトル(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pPSA-7 β-FeSi_2単結晶における特異な磁化特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pPSA-73 強磁場下におけるβ-FeSi_2単結晶の磁気輸送特性(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 14aXE-11 NiS 単結晶における M-I 転移と過渡熱起電力効果(溶融塩, 金属結合, 合金, 領域 6)
• 12pTM-1 TiSe_2 単結晶における CDW 転移と過渡熱起電力効果 II(電荷密度波, 領域 6)
• 13pPSA-61 ZnO ナノ微粒子の作製と光スペクトル(領域 5)
• 12pPSA-10 3d 遷移金属層間化合物 M_xTiSe_2 単結晶における過渡熱起電力効果(領域 4)
• 29aZK-10 シリコンにおける過渡熱起電力効果 : 励起エネルギー依存性 II
• 29aZK-9 β-FeSi_2 単結晶における過渡熱起電力効果 II
• 22aPS-94 Pr_Gd_xSn_3(x=0.03)のGd^ESRによる一重項基底状態Pr^の結晶場の同定
• 25aX-14 Sr_TiO_3及びSrTi_Nb_yO_3におけるソフトモードフォノンによる異常抵抗効果
• 23aPS-83 ESRによるCuGeO_3系のスピンギャップの究明
• 23aPS-46 ESRをプローブとしたLa_Er_ySr_xCuO_4中のEr^と伝導電子、フォノンとの相互作用
• 25pYP-12 低磁界でのマイクロ波吸収をプローブとした超伝導ボルテックス・ダイナミックスII
• 25pYP-11 低磁界でのマイクロ波吸収をプローブとした超伝導ボルテックス・ダイナミックスI
• 24pPSB-17 一重項基底状態系PrIn_3中のPr^の結晶場及び磁性 : 不純物CdのESR及び電気抵抗をプローブとして
• 25aL-3 低次元層状物質Mo_nO_の放射光を用いた構造研究
• 30aSG-5 シリコンの電気特性に及ぼす陽子線照射の影響
• 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
• 29aZN-4 La_Sr_CO_4 におけるボルテックスダイナミクス
• 高温超伝導体材料におけるボルテックスのダイナミクス
• 24pPSA-45 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定II
• 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
• 28a-C-9 ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の過渡熱起電力効果III
• 28a-A-7 電荷密度波の並進運動の計算機シュミレーション : 遮蔽効果
• 28a-A-6 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のCDWダイナミックス : 鎖間相互作用の効果
• 28a-PS-78 低次元伝導体TeMo_5O_の磁化測定
• 29a-ZF-11 モリブデン酸化物Mo_nO_の結晶育成 II
• 29a-ZF-4 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布IV
• 26p-N-2 分子性導体DCNQI-Cu系の伝導機構III
• 27a-YK-4 電荷密度波物質TaS_2の過渡熱起電力効果II
• 27a-YK-2 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗とバンド構造
• 27a-YK-1 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布III
• 28a-YD-15 高純度タングステン単結晶の磁場中過渡熱起電力効果
• 28a-YD-14 擬二次元伝導体η-Mo_4O_のバルク量子ホール効果
• 25a-YF-14 ペロブスカイト型マンガン酸化物薄膜の過渡熱起電力効果II
• 31a-N-12 ペロブスカイト型Mn酸化物薄膜の過渡熱起電力効果
• Bi系超電導圧粉体へのレーザ照射処理
• 18pPSB-39 La_Ca_x(Mn_Zn_y)O_3系のESR及び電気抵抗
• La_Ca_xMnO_3 (0
• 23aPS-15 不純物ESRによるLaSrCuO系超伝導体の擬ギャップの究明
• 24pSB-9 SrTiO_3系縮退半導体の電子物性と過渡熱起電力効果
• 23aPS-13 過渡熱起電力効果法による高温超伝導体La_Sr_xCuO_4における擬ギャップの解明
• 24pYK-5 ソフトモードフォノンによる異常抵抗効果 : 新現象と応用研究
• 30p-PSA-43 超伝導薄膜(YBa_2Cu_3O_y/MgO)による交番磁界(100kHz、9GHz)の乱れ及び減衰
• 30a-PS-65 Ln_A_xMnO_3(Ln:La、Pr;A:Ca、Sr)中のMn ESR及びマイクロ波電気抵抗の温度依存性
• 7p-PSB-16 Y_Ba_Cu_O_yの焼成によるY_2BaCuO_生成のESRによる定量分析
• 7p-PSA-8 YBa_2Cu_3O_y薄膜 on MgO基板の非共鳴吸収
• 5p-PSB-5 La_Sr_xMnO_3中のESR挙動の温度依存性
• 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
• 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
• 25aP-1 電荷密度波の並進運動の計算機シミュレーションII
• 25aL-4 層状半導体Bi_Sn_xTe_3における量子ホール効果II
• 24pYM-6 電荷密度波物質η-Mo_4O_における量子ホール効果の異常
• 24pRE-9 Bi_Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
• 22pK-12 MnTe_Se_xにおける過渡熱起電力効果
• 7a-E-2 層間化合物M_xTiS_2における磁気抵抗効果:Co_xTiS_2
• 25aL-2 電荷密度波物質η-Mo_4O_におけるフォノンのソフト化と電子物性への影響
• 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析
• 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• 26aPS-98 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3単結晶におけるDirac電子の特異な輸送特性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 26aPS-97 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pPSA-2 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25aL-1 層間化合物Fe_xTiS_2及びAg_xTiS_2における原子分布の比較
• 26pC-9 モリブデン酸化物Mo_nO_の輸送現象
• 26pC-8 層間化合物M_xTiS_2におけるゲスト原子の分布 V
• 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析
• 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21pPSB-11 層間原子をイオン交換した層状ペロブスカイト酸化物SrBi_2Ta_2O_9における光誘起現象(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21pPSA-21 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23pPSA-34 過渡Nernst-Ettingshausen効果測定によるDirac fermionのカイラル性の解明(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク