電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2011-01-21
著者
-
解 栄軍
物質・材料研究機構 ナノセラミックスセンター窒化物粒子グループ
-
北浦 守
山形大学理学部
-
大西 彰正
山形大学理学部
-
佐々木 実
山形大学理学部
-
武田 隆史
物質・材料研究機構ナノセラミックスセンター
-
広崎 尚人
物質・材料研究機構ナノセラミックスセンター
-
解 栄軍
物質・材料研究機構
関連論文
- 希土類を発光中心とする窒化物・酸窒化物蛍光体 (特集 Ce Pr Tb とEu--希土類ユニーク4兄弟,光り輝く新たな展開)
- 27pYK-6 ゼロギャップ近傍における巨大過渡Nernst-Ettingshausen効果(27pYK 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-8 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における特異な磁気抵抗効果(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20pYJ-7 3d遷移金属層間化合物M_xTiSe_2単結晶における超構造の抑制と抵抗異常(20pYJ 準結晶,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 20aPS-15 バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTH-10 層状物質η-Mo_4O_が示すパルス強磁場下でのカイラル表面状態(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25aXJ-4 β-FeSi_2における異常Hall効果(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25aPS-75 ゼオライト細孔内CdI_2クラスターの光吸収スペクトル(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25pPSA-7 β-FeSi_2単結晶における特異な磁化特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22pPSA-73 強磁場下におけるβ-FeSi_2単結晶の磁気輸送特性(領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 14aXE-11 NiS 単結晶における M-I 転移と過渡熱起電力効果(溶融塩, 金属結合, 合金, 領域 6)
- 12pTM-1 TiSe_2 単結晶における CDW 転移と過渡熱起電力効果 II(電荷密度波, 領域 6)
- 13pPSA-61 ZnO ナノ微粒子の作製と光スペクトル(領域 5)
- 12pPSA-10 3d 遷移金属層間化合物 M_xTiSe_2 単結晶における過渡熱起電力効果(領域 4)
- 29aZK-10 シリコンにおける過渡熱起電力効果 : 励起エネルギー依存性 II
- 29aZK-9 β-FeSi_2 単結晶における過渡熱起電力効果 II
- 希土類イオンを付活した窒化物および酸窒化物の合成と発光特性
- 28aXK-1 圧電セラミックス(Na,K)NbO_3-PbTiO_3のアクチュエータ特性(誘電体)(領域10)
- 22pXA-1 低鉛含有大歪み圧電セラミックス
- 30aSG-5 シリコンの電気特性に及ぼす陽子線照射の影響
- 29aZK-8 ナローギャップ半導体における過渡熱起電力効果
- 29aZN-4 La_Sr_CO_4 におけるボルテックスダイナミクス
- 高温超伝導体材料におけるボルテックスのダイナミクス
- Eu^付活ストロンチウム酸窒化アルミナケイ酸塩(サイアロン)の蛍光特性
- 24pSB-9 SrTiO_3系縮退半導体の電子物性と過渡熱起電力効果
- 23aPS-13 過渡熱起電力効果法による高温超伝導体La_Sr_xCuO_4における擬ギャップの解明
- 窒化ケイ素ナノセラミックスの作製と塑性変形
- 窒化物系蛍光体の開発 (特集 NIMSナノセラミックスセンター:多機能性イノベイティブセラミックスの創製)
- C-4-22 青色励起型高演色白色LEDランプ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 白色LED用新規窒化物蛍光体の開発
- サイアロン系新蛍光体とそれを用いた白色LEDの開発
- 12pTL-11 セラミック (Na_K_) NbO_3 : ATiO_3 の相転移及び誘電・圧電特性(誘電体, 領域 10)
- 25aPS-96 放射光光電子分光によるβ-FeSi_2単結晶の電子状態研究(25aPS 領域5ポスターセッション(光電子分光・真空紫外分光・軟X線発光),領域5(光物性))
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析 (電子ディスプレイ)
- タングステンブロンズ構造Sr_Ca_xNaNb_5O_(x=0.1)の無鉛圧電セラミックス材料(セラミックスインテグレーション)
- 24pRE-9 Bi_Sb_x(x=0.023)の高分解能ARPES(24pRE 光電子分光(表面・薄膜・低次元系),領域5(光物性))
- 28aXD-6 非鉛圧電セラミックス(Na,K)NbO_3-ATiO_3における相図の特徴(28aXD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 26aPS-98 トポロジカル絶縁体Bi_2Te_3単結晶におけるDirac電子の特異な輸送特性(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-97 磁性トポロジカル絶縁体における輸送特性に及ぼすフェルミエネルギーのピン止め効果(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-2 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 白色LED用βサイアロン蛍光体の開発
- 海外旅行ですか? ぜひ行ってみましょう
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- 電子スピン共鳴によるγ-AlON中二価マンガンの局所構造解析
- 23aHA-2 放射光励起角度分解光電子光法によるBi_2Te_3の電子状態研究(23pHA 表面界面電子物性(トポロジカル表面・スピン・ラシュバ効果),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSB-11 層間原子をイオン交換した層状ペロブスカイト酸化物SrBi_2Ta_2O_9における光誘起現象(21pPSB 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-21 新規オージェ・フリー発光物質A_2ZnCl_4(A=Cs,Rb)の真空紫外分光II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pPSA-34 過渡Nernst-Ettingshausen効果測定によるDirac fermionのカイラル性の解明(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))