電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
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概要
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電子線励起によって紫外発光を示すZnAl_2O_4は新規紫外発光デバイス用蛍光体として期待されている.本稿では固相合成法により作製したZnAl_2O_4の構造及び発光の焼成条件依存性について調べた.作成されたZnAl_2O_4の構造や発光は,焼成時の温度,雰囲気,ZnOモル比といった焼成条件に顕著に依存する傾向が示され,XRD,PLE,CL等の結果からZnAl_2O_4のバンドギャップが約7eVであり,紫外発光は酸素欠陥と過剰添加Znによる準位であると推察した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2011-01-21
著者
-
原 和彦
静岡大学
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
原 和彦
静岡大学電子工学研究所
-
大西 彰正
山形大理
-
大西 彰正
山形大 理
-
原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大
-
中西 洋一郎
静大電子研
-
Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
-
Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
-
Nakanishi Yoshiki
Department Of Materials Science And Engineering Iwate University
-
大西 彰正
山形大物
-
北浦 守
山形大物
-
北浦 守
山形大学理学部
-
井口 拓
静岡大学電子工学研究所
-
大西 彰正
山形大学理学部
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