フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
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概要
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The Structural and luminescent properties of epitaxial ZnO thin films grown on Si substrate have been investigated. The films showed c-axis orientation and there cristallinity was improved by heat treatment in air. The films annealed at 800℃ in air showed RHEED pattern of epitaxial ZnO and PL with peak at around 375nm.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1999-08-23
著者
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
-
三宅 亜紀
静岡大学電子科学研究科
-
立岡 浩一
静岡大学工学部
-
桑原 弘
静岡大学工学部
-
桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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