2段階気相合成GaN:Zn蛍光体の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

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概要

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GaNは不純物ドーピングにより発光特性の制御が可能であること, 物理的・化学的に安定であること, 活性な元素を含まないことなどから, 特に電子線励起用の蛍光体として期待されている. 本研究では, 二段階気相成長法を用いて作製したGaN : Zn蛍光体の発光特性を明らかにすることを目的とした. Zn原料としてはZnS粉末, または金属Znを用いることにより, Zn濃度が1.0×10^<19>cm^<-3>〜2.0×10^<20>cm^<-3>の試料を得た. 325nm光を励起源とするフォトルミネッセンス測定では, Zn濃度の増加こ伴い422nmから448nmまでピークシフトが観測された. カソードルミネッセンス測定においても同様なシフトが確認された. 作製した試料の中では, Zn濃度2.0×10^<20>cm^<-3>が最も高い輝度を示し, その値は33.1cd/m^2であった.
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-01-20

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