ゾルーゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
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概要
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ゾルーゲル法によりIn[OCH(CH_3)_2]_3を用いてCRT用蛍光体であるZnS:Ag, CIの表面にIn_2O_3の導電層を形成させた。その結果、蛍光体の表面に非常に薄く均一なIn_2O_3の層が形成されていることが確認された。被覆に使用するIn[OCH(CH_3)_2]_3の分量を増加させるに従って、低加速電圧領域において発光輝度が向上し、蛍光体表面の帯電を改善させていることがわかった。また、これらの蛍光体に電子線の長時間照射を行うと、被覆を行わなかった蛍光体の表面が荒れ形状に変化が見られたが、被覆を行った蛍光体についてはいずれも表面形状の変化は僅かであった。このことから、ゾルーゲル法による蛍光体表面の被覆は、電子線照射による表面状態の変化を抑え、輝度劣化を抑制していることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-23
著者
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
中村 高遠
静岡大学工学部
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
堀河 敬司
静岡大学電子工学研究所
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
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