二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)

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概要

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二元電子ビーム蒸着法により,SrGa_2S_4: Eu薄膜を作製し,作製技術の低温化を目指し,エキシマレーザ照射によるアニールを施し,その結晶性,発光特性,レーザ照射における温度分布の解析を行った。その結果,プレアニール500℃,KrFエキシマレーザ照射により,SrGa_2S_4: Euの緑色発光が得られ,陽極電圧4kV,電流密度60μA/cm^2励起において2,000cd/m^2の輝度が得られた。その結晶化のメカニズムの解析のために,レーザ照射による薄膜の温度分布のシミュレーションを行った。その結果,表面の温度上昇は約600K,表面〜約200nm程度の領域において,SrGa_2S_4: Euの結晶化温度と考えられる800℃以上に到達することが確認された。
2008-01-17

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