SrGa2S4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性--プロセスの低温化とその効果 (情報ディスプレイ)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
-
レーザアニールによるSrGa2S4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性 (電子ディスプレイ)
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
-
二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析
-
SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
-
SrGa2S4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性--プロセスの低温化とその効果 (情報ディスプレイ)
-
SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
-
SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
-
SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4薄膜蛍光体の発光特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
-
二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
-
二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
-
二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
ニ源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
-
355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa2S4薄膜蛍光体の作製 (電子ディスプレイ)
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
-
Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa2S4薄膜蛍光体の作製 (情報ディスプレイ)
-
355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
-
レーザアニールによるSrGa_2S_4 : Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
-
355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
-
355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
-
355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク