SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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高輝度電界放射型ディスプレイ用薄膜蛍光体の作製を目指し、二元電子ビーム蒸着法によりSrGa_2S_4 : Eu薄膜蛍光体の作製を試みた。本研究では、SrGa_2S_4 : Eu薄膜蛍光体の発光特性のEu濃度依存性を検討した。ペレット作製時に、SrS中の濃度を2, 3, 5mol%と変化させた。蒸着は、基板温度を450℃とし、供給比Ga_2S_3/SrSは50とした。蒸着後、H_2S中でのアニールを750℃, 30分間行った。発光特性では、PL・CL共に530nmにピークを持つ緑色の発光示した。V_A=3kV, J_S=60μA/cm^2励起のCLでは、約2580cd/m^2の輝度が得られ、CIE色度座標は、(0.2634, 0.6804)であった。本実験の範囲内では、Eu濃度の増加とともに輝度が向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-21
著者
-
畑中 義式
愛知工科大学
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
新井 裕子
(株)日本製鋼所
-
新井 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
新井 裕子
静岡大学電子工学研究所
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