14-7 クエン酸ゲル法によるY_2O_2S:Eu微粒子蛍光体形成過程の考察(第14部門 情報ディスプレイII)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
これまでに,クエン酸ゲル法により,Y_2O_2S:Euの合成及び微粒子化について検討を行ってきた.合成条件として,前駆体Y_2O_2S:Eu仮焼成の温度により,出来上がりの粒径が大きく変化することがわかった.そこで,粒径の変化について,詳しい検討を行うために,TG-DTA分析を行ったところ,420℃及び710℃付近のところで,発熱・吸熱が起きていることが確認され,これが本焼成後の粒子径に大きく関っている可能性があることが示唆された.
- 2004-08-02
著者
-
畑中 義式
愛知工科大学
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
東 直人
静岡大学工学部
-
東 直人
静岡大学地域共同研究センター
-
山原 茂良
静岡大学電子工学研究所
関連論文
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- レーザアニールによるSrGa2S4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性 (電子ディスプレイ)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温プロセスを用いたCdTeピクセル高エネルギー放射線検出器の作製
- エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CdTe高エネルギー放射線検出素子の作製とイメージングデバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4薄膜蛍光体の発光特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- エネルギｰ弁別型X線カラｰスキャナｰ
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- リモートプラズマ励起MOCVDによるZnTe系薄膜の成長と伝導性制御
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Y_2O_3:Tb薄膜の低速電子線励起発光特性の基板依存性
- Dynamic responses of photoconduction in TiOx films prepared by radio frequency magnetron sputtering
- 高周波スパッタ法で作成された酸化チタン薄膜における光励起電流の再結合過程
- Electronic transport under potential fluctuation in titanium oxide films prepared by RF magnetron sputtering method
- 酸化チタン薄膜の光伝導と交流伝導
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性
- レーザーディスプレイによる感情表現
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- Si基板上青色発光アルカリ土類硫化物薄膜EL素子の形成と発光特性
- Si基板上CaS:Cu, F薄膜ELの発光特性
- Si基板上CaS : Cu, F薄膜ELの発光特性
- Si基板上CaS:Cu,F薄膜ELの発光特性(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
- C-9-2 Si 基板上 Wet 酸化 SiO_2 膜を絶縁層とする SrS : Cu, F 薄膜 EL 素子の形成
- 青色発光(Sr_Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光(Sr_Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果
- 青色発光(Sr_Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果
- (Sr_Ca_x)S:Cu,F固溶体薄膜EL素子の作成と発光特性
- 赤色発光CaS:Eu薄膜EL素子の各層界面に対する高温アニールの影響(映像入出力および一般)
- 赤色発光CaS : Eu薄膜EL素子の各層界面に対する高温アニールの影響
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S:Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化による微粒子化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- エキシマレーザープロセスを用いたエネルギースペクトル計数型CdTe高エネルギー放射線イメージングデバイス
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- 酸化チタン薄膜の光電流における拡張指数関数
- CdTe 高エネルギー放射線イメージングデバイスによるガンマ線エネルギー弁別画像撮像
- Si基板上に作製したSrS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4 : Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- クエン酸-ゲル法により合成したY_20_2S:Eu蛍光体の仮焼成依存性(映像入出力および一般)
- クエン酸-ゲル法により合成したY_2O_2S : Eu蛍光体の仮焼成依存性
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- Si基板上CaS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価
- C-9-3 Relationship between Luminescent Property of OLEDs and ITO Substrate Surface Morphology
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性
- C-14-11 計測用カメラを用いた光空間伝送に関する研究(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S:Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化による微粒子化
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S : Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化による微粒子化
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S:Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化及び仮焼成による微粒子化
- 14-7 クエン酸ゲル法によるY_2O_2S:Eu微粒子蛍光体形成過程の考察(第14部門 情報ディスプレイII)