Si基板上CaS:Cu,F薄膜ELの発光特性(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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高輝度で良色純度な青色発光薄膜EL素子の作製を目指し、CaS:Cu,F薄膜の作製を行った。そしてXRD曲線による結晶性及びPL特性についてのアニール条件依存性について検討を行った。結晶性及びPL強度の向上は、800℃以上の高温で両特性の改善が顕著に見られた。またこれらの改善は10minほどで飽和の傾向を示した。よってアニールは800℃以上の高温が必要であり、時間は10min程度でよいと考えられる。CaS:Cu,F発光層に対し十分なアニール処理を行うためにSi基板を用いて素子作製を行った。またSi基板をWet酸化することにより得られるSiO_2層(200nm)を第一絶縁層として用いた。そしてバッファ層としてZnS薄膜を発光層と各絶縁層との間に挿入し、第二絶縁層としてY_2O_3薄膜を用いてEL素子を作製した。 850℃,10minのアニール処理を施し、Cuの添加量0.5at%とした素子からCu^<+>による発光と思われる435nmにピークを持った発光が得られた。またCuを0.3at%とした素子からは、425mnに明瞭なピークを持ったELスペクトルが得られ、CIE色度座標は(0.217,0.223)であった。しかしこれらの発光は非常に低輝度であり、またメインピーク以外の長波長成分を多く含んでいる発光であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-16
著者
-
畑中 義式
愛知工科大学
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
深田 晴己
静岡大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
深田 晴己
静岡大学サテライト・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
深田 晴己
静岡大学svbl
-
袴田 新太郎
静岡大学電子科学研究科
-
江原 摩美
静岡大学電子科学研究科
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