Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
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概要
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Si基板上にまずZnSエピタキシャルを作製し、それを酸素中で熱処理することによってZnOエピタキシャル薄膜を作製する。その際に起こっている酸化過程をギブスの自由エネルギーを用いて熱力学的に検討を行った。さらにZnSの粉末を用いてTG-DTA測定を行い、実際の酸化反応の過程と比較して検討を行った。熱力学的な計算とTG-DTA測定から、酸化過程の主反応はZnSからZnOへの直接的な一段階反応であり、ZnS+3/2O_2→ZnO+SO_2、ZnS+2O_2→ZnO+SO_3、ZnS+1/2O_2→ZnO+1/2S_2のいずれかが主反応であることが示された。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2003-01-27
著者
-
畑中 義式
愛知工科大学
-
小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
-
青木 徹
静岡大学電子工学研究所
-
三宅 亜紀
静岡大学電子科学研究科
-
中村 高遠
静岡大学工学部
-
東 直人
静岡大学工学部
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
中村 高遠
静大院理工
-
東 直人
静岡大学地域共同研究センター
-
Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
-
Nakamura T
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
-
Nakamura T
Sumitomo Electric Industries Ltd.
-
Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
-
Nakamura Takatou
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Shizuoka University
-
Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
-
Nakamura Tetsuro
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
-
Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
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