赤色発光CaS : Eu薄膜EL素子の各層界面に対する高温アニールの影響
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概要
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電子ビーム蒸着法によりSi基板上に赤色発光CaS:Eu薄膜EL素子を作製し評価を行った。蒸着源として作製したCaS:Eu蛍光体は約650nmにピークを持つ赤色のPLが得られた。作製したEL素子は二重絶縁構造であり、絶縁層としてSiO_2、Y_2O_3を用いた。熱処理条件はH_2S中800℃で15分間とし、Eu添加量1.0at%の場合に約660nmにピークを持つ赤色ELが得られた。その時同時に測定したCIE色度座標でx=0.67,y=0.32であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-14
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