小南 裕子 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
愛知工科大学
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原 和彦
静岡大学
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中西 洋一郎
静大電子研
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原 和彦
静岡大学電子工学研究所
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Nakanishi Yoshiki
Department Of Materials Science And Engineering Iwate University
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原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大
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畑中 義式
浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学
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中西 洋一郎
静岡大
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中西 洋一郎
静岡大学
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中村 高遠
静岡大学工学部
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Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
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Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
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Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
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Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
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Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
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清野 俊明
日本製鋼所
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中島 宏佳
静岡大学電子科学研究科
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Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
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Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
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東 直人
静岡大学工学部
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中村 高遠
静大院理工
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東 直人
静岡大学地域共同研究センター
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袴田 新太郎
静岡大学電子科学研究科
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コッタイサミー M.
静岡大学電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
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Kottaisamy M
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
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Nakamura T
Sumitomo Electric Industries Ltd.
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江原 摩美
静岡大学電子科学研究科
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Nakamura Tetsuro
Materials And Structures Laboratory Tokyo Institute Of Technology
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山崎 貴久
静岡大学
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佐野 友治
静岡大学 電子工学研究所
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山原 茂良
静岡大学電子工学研究所
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新井 裕子
(株)日本製鋼所
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新井 裕子
静岡大学 電子工学研究所
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井和丸 昌
静岡大学電子工学研究所
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堀河 敬司
静岡大学電子工学研究所
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深田 晴己
静岡大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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深田 晴己
静岡大学サテライト・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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Kottaisamy M.
静岡大学電子工学研究所
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山下 慎二
静岡大学電子工学研究所
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深田 晴己
静岡大学svbl
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佐野 友治
静岡大学電子工学研究所
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下村 康夫
(株)三菱化学科学技術研究センター
-
下村 康夫
株式会社三菱化学科学技術研究センター
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吉野 正彦
株式会社三菱化学科学技術研究センター
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菰田 浩寛
静岡大学電子工学研究所
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三宅 亜紀
静岡大学電子科学研究科
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中島 徹
静岡大学電子工学研究所
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大木 佑哉
静岡大学電子工学研究所
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森 達宏
静岡大学電子工学研究所
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原川 崇
静岡大学電子工学研究所
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新井 裕子
静岡大学電子工学研究所
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加藤 泰樹
静岡大学電子工学研究所
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名倉 利樹
静岡大学電子工学研究所
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澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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山崎 貴久
静岡大学電子工学研究所
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清野 俊明
(株)日本製鋼所
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和田 英樹
静岡大学電子工学研究所
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澤田 和明
豊橋技術科学大学
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福司 康子
静岡大学電子科学研究科
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曽和 国容
デンソー工業技術短期大学校
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纐纈 直行
静岡大学 電子工学研究所
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上倉 直喜
静岡大学電子工学研究所
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Nakamura Takatou
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Shizuoka University
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北浦 守
山形大学理学部
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井口 拓
静岡大学電子工学研究所
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大西 彰正
山形大学理学部
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山内 学
静岡大学
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根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
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栗田 誠
静岡大学電子工学研究所
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岡本 信治
NHK放送技術研究所
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田中 克
NHK放送技術研究所
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寺田 享右
静岡大学電子工学研究所
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三上 昌義
三菱化学科技研センター
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大西 彰正
山形大理
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中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
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劉 〓
静岡大学電子工学研究所
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小林 敬祥
静岡大学電子工学研究所
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河西 康雅
静岡大学電子工学研究所
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加藤 雅俊
静岡大学電子工学研究所
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根尾 陽一郎
静岡大学大学院電子科学研究科
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大西 彰正
山形大 理
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根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
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寺田 享右
静岡大学 電子工学研究所
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三上 昌義
三菱化学科学技術研究センター
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大原 賢治
電子科学研究科
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根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
-
大原 賢治
静岡大学電子科学研究科
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Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
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Nakamura T
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
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清野 俊明
JSW株式会社 日本製鋼所
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米村 淳
東京工業大学像情報工学研究施設
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岡本 直也
東京工業大学像情報工学研究施設
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吉川 明彦
千葉大学電子光情報基盤技術研究センター
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栗原 直宏
静岡大学電子工学研究所
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大西 彰正
山形大物
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北浦 守
山形大物
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小野 貴史
豊橋技術科学大学 電気電子工学系
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杜 小龍
千葉大学電子光情報基盤技術研究センター
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佐久間 貞好
静岡大学電子工学研究所
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岡本 信治
NHK放送技術研究所表示・機能素子研究部
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中本 正幸
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
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下平 美文
静岡大学工学部
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玉木 秀和
静岡大学電子工学研究所
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平木 博久
静岡大学電子工学研究所:ダイヤライトジャパン株式会社
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羽場 方紀
ダイヤライトジャパン株式会社
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成瀬 紀裕
静岡大学電子工学研究所
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井和丸 昌
電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学電子科学研究科
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小林 敬祥
静岡大 電子工研
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河西 康雅
静岡大 電子工研
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下村 康夫
三菱化学科学技術研
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中島 宏佳
静岡大学 電子科学研究科
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Kottaisamy M.
静岡大学 電子工学研究所
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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桑原 弘
静岡大学工学部
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山崎 貴久
静岡大学 電子工学研究所
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文 宗鉉
静岡大学電子工学研究所
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喜多尾 道火児
静岡大学電子工学研究所
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吉野 正彦
三菱化学科学技術研究センター
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纐纈 直行
静岡大学電子工学研究所
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桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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川角 明人
静岡大学電子工学研究所
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中野 文樹
静岡大学電子工学研究所
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中村 高遠
静岡大学 電子工学研究所・工学部
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東 直人
静岡大学 工学部
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Kottaisamy M.
静岡大学SVBL
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M Kottaisamy
静岡大学SVBL
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Kottaisamy M
静岡大学サテライトベンチャービジネスラボラトリー
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掘河 敬司
静岡大学電子工学研究所
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白鳥 硬次
静岡大学電子工学研究所
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文 宗絃
静岡大学電子工学研究所
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瀧川 義史
静岡大学電子工学研究所
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大木 祐也
静岡大学電子工学研究所
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平木 博久
ダイアライトジャパン株式会社
-
羽場 方紀
ダイアライトジャパン株式会社
-
浦部 和雄
静岡大学電子工学研究所
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三本 明哲
静岡大学 電子工学研究所
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杉浦 健二
静岡大学電子工学研究所
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曽和 国容
日本電装(株)
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中野 文樹
静岡大学 電子工学研究所
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江口 智広
静岡大学電子工学研究所
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KOTTAISAMY Muniasamy
静岡大学電子工学研究所
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武林 慶一郎
静岡大学 電子工学研究所
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武林 慶一郎
静岡大学電子工学研究所
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川田 善正
静岡大学工学部
-
喜多尾 道火児
静岡大 電子工研
-
小南 裕子[他]
静岡大学電子科学研究科
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畑中 義式
静岡大学電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所
-
澤田 和明
豊橋技術科学大学工学部
-
中西 洋一郎
静岡大学電子科学研究科:静岡大学電子工学研究所
-
三宅 亜紀
静岡大学工学部
-
居波 渉
静岡大学GRL
-
金森 聡
静岡大学工学部
著作論文
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- 広色域表示を目指した蛍光体材料の研究
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- EID2000-11 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4薄膜蛍光体の発光特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法によるLa2O2S:Euの合成と発光特性 (情報ディスプレイ)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製
- ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価
- ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価 (情報ディスプレイ)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
- 赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
- ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性
- フィールドエミッションランプ用緑色蛍光体の開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 高品質照明を実現する新型真空平面ランプの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa2S4薄膜蛍光体の作製 (電子ディスプレイ)
- 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (電子ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性
- 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 蛍光体表面の改質による低速電子励起発光特性の向上
- 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
- ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- ゾルーゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- 遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
- 遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
- 2段階気相合成GaN:Zn蛍光体の発光特性
- 2段階気相合成GaN:Zn蛍光体の発光特性
- 2段階気相合成GaN:Zn蛍光体の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Y_2O_3:Tb薄膜の低速電子線励起発光特性の基板依存性
- 希土類添加Y_2O_3薄膜の低速電子線励起発光
- 希土類添加Y_2O_3薄膜の低速電子線励起発光
- Y_2O_3:Tm薄膜の構造と低速電子線励起発光
- フレッシュパーソン12-9 青色発光Y_2O_3:Tm薄膜のカソードルミネッセンス
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製
- Si基板上青色発光アルカリ土類硫化物薄膜EL素子の形成と発光特性
- Si基板上CaS:Cu, F薄膜ELの発光特性
- Si基板上CaS : Cu, F薄膜ELの発光特性
- Si基板上CaS:Cu,F薄膜ELの発光特性(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
- C-9-2 Si 基板上 Wet 酸化 SiO_2 膜を絶縁層とする SrS : Cu, F 薄膜 EL 素子の形成
- 青色発光(Sr_Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光(Sr_Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果
- (Sr_Ca_x)S:Cu,F固溶体薄膜EL素子の作成と発光特性
- 赤色発光CaS:Eu薄膜EL素子の各層界面に対する高温アニールの影響(映像入出力および一般)
- 赤色発光CaS : Eu薄膜EL素子の各層界面に対する高温アニールの影響
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S:Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化による微粒子化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性
- SrS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
- SrS:Cu, F薄膜EL素子の発光特性
- CaS:Cu, F薄膜の熱処理とEL特性
- C-9-3 CaS:Cu,F薄膜のアニールと発光特性
- 青色発光SrS:Cu,F薄膜EL素子のCu濃度依存性
- CaS:Cu,F薄膜の構造及び発光特性
- 固相合成ZnAl_2O_4:Mn蛍光体における発光特性の作製条件依存性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa2S4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析 (情報ディスプレイ)
- C-9-6 ナノ構造埋込蛍光体粒子の提案と気相法による作製の試み(C-9.電子ディスプレイ,一般講演)
- 4-5 ゾル-ゲル法による蛍光体の発光特性改善
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比、堆積速度、熱処理依存性
- 青色発光SrG_2S_4 : Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果
- 4-1 青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- Si基板上へのCaS:Cu,F薄膜EL素子の形成
- (Sr_Ca_x)S:Cu, F固溶体薄膜の発光特性と組成比との関係
- (Sr_Ca_x)S:Cu, F固溶体薄膜の発光特性と組成比との関係
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
- Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
- ゾル-ゲル法によるZn添加Y_2O_3:Eu微粒子蛍光体の合成と評価
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製と電子線励起発光特性
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製及び構造と発光特性
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の低速電子線励起発光
- GaN系多層構造粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 広色域ディスプレイ用蛍光体の作製(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 広色域ディスプレイ用蛍光体の作製(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- GaN系多層構造粒子の作製
- WO_3膜のエレクトロクロミック特性に対する結晶化の効果
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- クエン酸-ゲル法により合成したY_20_2S:Eu蛍光体の仮焼成依存性(映像入出力および一般)
- クエン酸-ゲル法により合成したY_2O_2S : Eu蛍光体の仮焼成依存性
- ZnO-Al2O3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性 (情報ディスプレイ)
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- 青色発光SrGa_2S_4:Ce蛍光薄膜の低速カソードルミネツセンス特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光SrGa_2S_4:Ce蛍光薄膜の低速カソードルミネッセンス特性
- 青色発光SrGa_2S_4 : Ce蛍光薄膜の低速カソードルミネッセンス特性
- (Y, La)_2O_3:Eu蛍光体のZn添加効果
- (Y, La)_20_3 : Eu蛍光体のZn添加効果
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- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- Si基板上CaS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
- ITO基板の表面状態が有機LEDの発光特性に及ぼす影響に関する研究
- C-9-3 Relationship between Luminescent Property of OLEDs and ITO Substrate Surface Morphology
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性
- C-9-6 紫外光源用酸化物蛍光体の発光特性(C-9.電子ディスプレイ,一般セッション)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S:Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化による微粒子化
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S : Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化による微粒子化
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S:Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化及び仮焼成による微粒子化
- CaS:Cu,F薄膜の発光特性の熱処理依存性とSi基板上EL素子の作製
- 14-7 クエン酸ゲル法によるY_2O_2S:Eu微粒子蛍光体形成過程の考察(第14部門 情報ディスプレイII)
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の低速電子線励起発光
- Si_3N_4上に作製したZnO蛍光体薄膜の構造および発光特性