中西 洋一郎 | 静岡大
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概要
関連著者
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中西 洋一郎
静岡大
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中西 洋一郎
静岡大学
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静大電子研
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小南 裕子
静岡大学
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Nakanishi Yoshiki
Department Of Materials Science And Engineering Iwate University
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小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大
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原 和彦
静岡大学
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
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Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
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原 和彦
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
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山崎 貴久
静岡大学
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清野 俊明
日本製鋼所
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畑中 義式
愛知工科大学
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畑中 義式
浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学
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佐野 友治
静岡大学 電子工学研究所
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中村 高遠
静岡大学工学部
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上倉 直喜
静岡大学電子工学研究所
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上倉 直喜
静岡大学 電子工学研究所・工学部
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中村 高遠
静岡大学 電子工学研究所・工学部
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Nakamura Tetsuro
Department Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
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Nakamura Toshihiko
Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
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佐野 友治
静岡大学電子工学研究所
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山内 学
静岡大学
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大西 彰正
山形大理
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大西 彰正
山形大 理
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Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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大西 彰正
山形大物
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北浦 守
山形大物
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北浦 守
山形大学理学部
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井口 拓
静岡大学電子工学研究所
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大西 彰正
山形大学理学部
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小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
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下村 康夫
(株)三菱化学科学技術研究センター
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山下 慎二
静岡大学電子工学研究所
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下村 康夫
株式会社三菱化学科学技術研究センター
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吉野 正彦
株式会社三菱化学科学技術研究センター
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中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
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島岡 五朗
The University of New South Wales
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曽和 国容
デンソー工業技術短期大学校
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桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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中野 文樹
静岡大学電子工学研究所
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堀河 敬司
静岡大学電子工学研究所
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島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
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Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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堀河 敬司
静岡大学 電子工学研究所
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Nakamura Takuya
The Faculty Of Engineering Saitama University
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曽和 国容
日本電装(株)
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田部 雅美
日本電装
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田部 雅美
日本電装工業技術短期大学校
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中野 文樹
静岡大学 電子工学研究所
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内田 龍男
東北大学大学院工学研究科
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奥村 治彦
(株)東芝研究開発センター
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金子 節夫
NEC液晶テクノロジー株式会社
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下平 美文
静岡大学創造科学技術大学院
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内池 平樹
佐賀大学
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服部 励治
九州大学大学院システム情報科学研究院
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山崎 映一
元日立製作所
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中本 正幸
静岡大学電子工学研究所
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山崎 貴久
静岡大学電子工学研究所
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下村 康夫
三菱化学科学技術研
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劉 〓
静岡大学電子工学研究所
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服部 励治
九州大学大学院システム情報科学府
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内池 平樹
広島大学工学部
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中西 洋一郎
静岡大学大学院工学研究科電子工学
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内田 龍男
東北大学工学研究科
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立岡 浩一
静岡大
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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内藤 真也
静岡大学電子工学研究所
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澤田 和明
静岡大
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服部 励治
九州大学産学連携センター プロジェクト部門
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桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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下平 美文
静岡大学電子科学研究科
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水野 武志
静岡大学電子工学研究所
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伊藤 達也
静岡大学大学院工学研究科
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澤田 和明
静岡大学・電子工学研究所
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吉野 正彦
三菱化学科学技術研究センター
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奥村 治彦
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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下平 美文
静岡大
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桑原 弘
静岡大学 電子科学研究科
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森 晋也
静岡大
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立岡 浩一
静大工業短大
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桑原 弘
静大工業短大
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伊藤 達也
静岡大学電子工学研究所
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中村 高遠
静大院理工
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内田 龍男
東北大学大学院
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尾関 芳孝
静岡大学電子工学研究所
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Nakamura Tomoyuki
Fine Chemicals And Polymers Research Laboratory Nof Corporation
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服部 励冶
九州大学大学院システム情報科学府
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森 晋也
静岡大学電子工学研究所
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今田 武史
静岡大
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今田 武史
静岡大学 電子工学研究所
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尾関 芳孝
静岡大学 電子工学研究所
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水野 武志
静岡大学 電子工学研究所
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高橋 正浩
静岡大
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高橋 章
東京大学
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宮本 義博
富士通株式会社
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Nakamura Tetsuro
School Of Electrical Engineering And Electronics Toyohashi University Of Technology
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中村 守孝
静岡大学電子工学研究所
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塩沢 憲一
静岡大学電子工学研究所
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Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo
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Muniasamy Kottaisamy
静岡大
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古川 省吾
日本電装工技短大
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内田 龍男
東北大学大学院工学研究科電子工学専攻
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Jeyaknmar D
Central Electrochemical Research Inst.
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Rao M
Central Electrochemical Research Inst.
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島岡 五朗
静岡大 電子工研
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古川 省吾
日本電装工業技術短期大学校
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周 桂喜
静岡大学電子工学研究所
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周 桂喜
静岡大学大学院電子科学研究科
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奥村 治彦
株式会社東芝研究開発センター
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水野 武志
静岡大学
著作論文
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- この40年のディスプレイ技術の変遷と将来展望について(電子ディスプレイ,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 6)多元蒸着により作製したSrSe : Ce薄膜の構造および発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 5)ZnS : Tm, F薄膜の電荷補償(情報ディスプレイ研究会)
- 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (電子ディスプレイ)
- 14)蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察(情報ディスプレイ研究会)
- 15)ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 13)集積型EL素子の作製と発光特性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 8)SrSe : Ce/ZnS : Mn積層薄膜の白色ELとRGB化(〔情報入力研究会 情報ディスプレイ研究会〕合同)
- 3)CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性(テレビジョン電子装置研究会)
- 硫化カドミウム光導電体におけるNiの影響
- ZnS:Cu,Cl粉末蛍光体のELの劣化
- 2)第3回蛍光体国際会議概要(情報ディスプレイ研究会)
- 7)Y_2O_3 : Eu/ZnS/Y_2O_3 : Eu構造の赤色EL(情報ディスプレイ研究会)
- マグネトロンスパッタ法により作成したY_2O_2S : Eu薄膜(情報ディスプレイ研究会)(波形等化技術)
- CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性
- 17)多元蒸着法による青色光EL用CaGa_2S_4 : Ce薄膜の作製(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 16)多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比, 堆積速度, 熱処理依存性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 5)青色発光とSrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 2)青色発光SrGa_2 S_4 : Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果([情報センシング研究会 情報ディスプレイ研究会]合同)
- 13)Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成(情報ディスプレイ研究会)
- 7)フッ化物薄膜EL素子の構造と発光特性(情報ディスプレイ研究会)
- 6)PCEL素子のメモリー動作機構(情報ディスプレイ研究会)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性
- 白色LED照明の用途に向けた蛍光体
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 電子線励起紫外発光ZnAl_2O_4蛍光体の焼成条件依存性(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- C-9-6 紫外光源用酸化物蛍光体の発光特性(C-9.電子ディスプレイ,一般セッション)
- 3)HEI-EL(ホットエレクトロン注入型EL)素子の発光特性(情報入力研究会)