畑中 義式 | 浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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畑中 義式
浜松ホトニクスKK静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
愛知工科大学
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大
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小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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清野 俊明
日本製鋼所
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原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
-
小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
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原 和彦
静岡大学
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原 和彦
静岡大学電子工学研究所
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山崎 貴久
静岡大学
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中西 洋一郎
静大電子研
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小南 裕子
静岡大学
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Nakanishi Yoshiki
Department Of Materials Science And Engineering Iwate University
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中西 洋一郎
静岡大学
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中西 洋一郎
静岡大
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Nakanishi Y
Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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Nakanishi Yoichiro
Research Institute Of Electronics Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka Univ
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山崎 貴久
静岡大学電子工学研究所
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新井 裕子
(株)日本製鋼所
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原川 崇
静岡大学電子工学研究所
-
新井 裕子
静岡大学 電子工学研究所
-
寺田 享右
静岡大学電子工学研究所
-
三上 昌義
三菱化学科技研センター
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加藤 雅俊
静岡大学電子工学研究所
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寺田 享右
静岡大学 電子工学研究所
-
三上 昌義
三菱化学科学技術研究センター
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纐纈 直行
静岡大学 電子工学研究所
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三本 明哲
静岡大学 電子工学研究所
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栗原 直宏
静岡大学電子工学研究所
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杉浦 健二
静岡大学電子工学研究所
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清野 俊明
(株)日本製鋼所
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中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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大原 賢治
電子科学研究科
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大原 賢治
静岡大学電子科学研究科
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加藤 泰樹
静岡大学電子工学研究所
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清野 俊明
JSW株式会社 日本製鋼所
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杉浦 健二
静岡大学 電子工学研究所
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武林 慶一郎
静岡大学 電子工学研究所
-
武林 慶一郎
静岡大学電子工学研究所
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高橋 浩之
東京大学人工物工学研究センター
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河合 敏昭
浜松ホトニクス
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河合 敏昭
浜ホト
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大庭 弘一郎
浜松ホトニクス株式会社
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富田 康弘
浜松ホトニクス(株)
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白柳 雄二
浜松ホトニクス株式会社 電子管技術部 電子管開発G
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松井 信二郎
浜松ホトニクス株式会社 電子管技術部 電子管開発G
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三澤 雅樹
産業技術総合研究所
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高橋 浩之
東京大学 人工物工学研究センター
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青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
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山崎 貴久
静岡大学 電子工学研究所
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袴田 新太郎
静岡大学電子科学研究科
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大庭 弘一郎
浜松ホトニクスkk静岡大学電子工学研究所
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富田 康弘
浜松ホトニクス株式会社
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富田 康弘
浜松ホトニクス
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三澤 雅樹
(独)産業技術総合研究所
著作論文
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- エネルギー弁別型フォトンカウンティング放射線ラインセンサ(X線カラースキャナ)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- 高周波スパッタ法で作成された酸化チタン薄膜における光励起電流の再結合過程
- 酸化チタン薄膜の光伝導と交流伝導
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性
- レーザーディスプレイによる感情表現
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性
- 第9回光電画像電子装置シンポジューム報告("画像デバイス"特集)
- (Sr_Ca_x)Cl_2:Eu蛍光体の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 酸化チタン薄膜の光電流における拡張指数関数
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 固相合成法により作製したSrY_2S_4:Euの発光特性
- Si基板上CaS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価
- 355nmレーザアニールによる希土類添加SrGa_2S_4薄膜蛍光体の作製