SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)

概要

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近年、Flat Panel Display (FPD)の研究開発が盛んになり、それに伴う技術の発達が目覚しい。特に、電界放射型ディスプレイ(FED)は、その画質の美しさから現在非常に注目されている。その技術の一つ蛍光体は、FEDに起こりえる絶縁破壊、電子線励起劣化の問題を防ぐ意味でも低抵抗、高効率に加えて安定なものが望ましい。そこでわれわれはそれらの問題を克服するために蛍光体の薄膜化を試みた[2]-[7]。薄膜蛍光体には、色度(0.26,0.69)の緑色高輝度発光を示すSrGa_2S_4:Euを用いた[1]-[6]。それを二源電子ビーム蒸着法により蒸着後、850℃でアニールすることで、加速電圧10kV,電流密度60μA/cm^2でCL輝度58,000cd/m^2が得られた。しかしながら、850℃でのアニールは実用的とは考えられないので、低温でのプロセスの確立が必要である。そこで、低温処理方法としてレーザアニール法を用いてSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製を試みた。その結果、アニール温度500℃の薄膜にKrFエキシマレーザを照射することにより4kV,60μA/cm^2励起で約2,000cd/m^2の輝度が得られた。
2007-01-18