中西 洋一郎 | 静岡大学電子工学研究所
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概要
関連著者
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中西 洋一郎
静岡大学電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
静岡大学電子工学研究所
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畑中 義式
愛知工科大学
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原 和彦
静岡大学電子工学研究所
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原 和彦
静岡大学
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青木 徹
静岡大学電子工学研究所
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中西 洋一郎
静大電子研
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中村 高遠
静岡大学工学部
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原 和彦
静岡大学 電子工学研究所
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Nakamura T
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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Nakamura Tomohiko
The Institute Of Scientific And Industrial Research Osaka University
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小南 裕子
静岡大学
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中西 洋一郎
静岡大学
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畑中 義式
静岡大
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中西 洋一郎
静岡大
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三宅 亜紀
静岡大学電子科学研究科
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中島 宏佳
静岡大学電子科学研究科
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立岡 浩一
静岡大学工学部
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桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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中村 高遠
静大院理工
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東 直人
静岡大学工学部
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東 直人
静岡大学地域共同研究センター
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清野 俊明
日本製鋼所
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深田 晴己
静岡大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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深田 晴己
静岡大学サテライト・ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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立岡 浩一
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部
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桑原 弘
静岡大学工学部
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青木 徹
静岡大学大学院電子科学研究科
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Nakamura T
Sumitomo Electric Industries Ltd.
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Kottaisamy M.
静岡大学電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学大学院電子科学研究科
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井和丸 昌
静岡大学電子工学研究所
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堀河 敬司
静岡大学電子工学研究所
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新井 裕子
(株)日本製鋼所
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佐野 友治
静岡大学 電子工学研究所
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新井 裕子
静岡大学 電子工学研究所
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上倉 直喜
静岡大学電子工学研究所
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小南 裕子
静岡大学 電子工学研究所
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中西 洋一郎
静岡大学 電子科学研究科
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深田 晴己
静岡大学svbl
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山崎 貴久
静岡大学
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佐野 友治
静岡大学電子工学研究所
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下村 康夫
(株)三菱化学科学技術研究センター
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山下 慎二
静岡大学電子工学研究所
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下村 康夫
株式会社三菱化学科学技術研究センター
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吉野 正彦
株式会社三菱化学科学技術研究センター
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Jeyakumar D.
Central Electrochemical Research Institute
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曽和 国容
デンソー工業技術短期大学校
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D Jeyakumar
Central Electrochemical Research Institute
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Jeyakumar D.
Central Electrochemical Res. Inst. Cecri‐csir Karaikudi Ind
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中村 篤志
静岡大学電子工学研究所
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菰田 浩寛
静岡大学電子工学研究所
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中島 徹
静岡大学電子工学研究所
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原川 崇
静岡大学電子工学研究所
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新井 裕子
静岡大学電子工学研究所
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大原 賢治
電子科学研究科
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中野 文樹
静岡大学電子工学研究所
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大原 賢治
静岡大学電子科学研究科
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名倉 利樹
静岡大学電子工学研究所
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澤田 和明
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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佐野 慶一郎
スズキ(株) 技術本部開発第二部
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山崎 貴久
静岡大学電子工学研究所
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大観 光徳
鳥取大学工学部
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田中 省作
鳥取大学工学部
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小林 洋志
鳥取大学工学部
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大観 光徳
鳥取大学工学研究科電気電子工学専攻
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澤田 和明
豊橋技術科学大学
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野村 雅也
スズキ(株) 技術本部開発第二部
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川角 明人
静岡大学電子工学研究所
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山内 学
静岡大学
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中本 正幸
静岡大学電子工学研究所
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栗田 誠
静岡大学電子工学研究所
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寺田 享右
静岡大学電子工学研究所
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清野 俊明
(株)日本製鋼所
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三上 昌義
三菱化学科技研センター
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劉 〓
静岡大学電子工学研究所
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小林 敬祥
静岡大学電子工学研究所
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河西 康雅
静岡大学電子工学研究所
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和田 英樹
静岡大学電子工学研究所
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木村 隆宏
鳥取大学工学部
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加藤 雅俊
静岡大学電子工学研究所
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深田 晴己
鳥取大学工学部電気電子工学科
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篠倉 明日香
鳥取大学工学部電気電子工学科
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Rao M.mohan
Central Electrochemical Research Institute
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Mohan Rao
Central Electrochemical Research Institute
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Kottaisamy M.
静岡大学サテライト・ベンチャービジネス・ラボラトリー
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澤田 和明
静岡大学電子工学研究所
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清水 克美
静岡大学電子工学研究所
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寺田 享右
静岡大学 電子工学研究所
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三上 昌義
三菱化学科学技術研究センター
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水野 武志
静岡大学電子工学研究所
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Sawada K
Shizuoka Univ. Hamamatsu
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Nakamura T
Tokyo Metropolitan Univ. Tokyo Jpn
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加藤 泰樹
静岡大学電子工学研究所
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石田 明広
静岡大学工学部
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根尾 陽一郎
静岡大学電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学電子工学研究所
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太田 正志
浜松ホトニクス(株)
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桑原 正和
浜松ホトニクス株式会社
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浅野 浩司
静岡大学電子工学研究所
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松本 貴裕
スタンレー電気
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野田 大二
静岡大学電子工学研究所
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野田 大ニ
静岡大学大学院電子科学研究科電子応用工学専攻画像電子デバイス講座
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畑中 義式
静岡大学 電子科学研究科
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根尾 陽一郎
静岡大学・電子工学研究所
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三村 秀典
静岡大学・電子工学研究所
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高橋 秀年
静岡大学電子科学研究科
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石田 明広
静岡大学 工学部電気電子工学科
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内藤 真也
静岡大学電子工学研究所
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桑原 弘
静岡大学大学院電子科学研究科
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高田 健司
静岡大学電子工学研究所
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Niraula Madan
静岡大学電子科学研究科
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藤波 達雄
静岡大学工学部工業化学科
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福司 康子
静岡大学電子科学研究科
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鈴木 大介
Asti(株)
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松本 貴裕
スタンレー電気株式会社
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藤安 洋
静岡大学工学部電子工学科
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ニラウラ マダン
名古屋工業大学・電気情報工学科
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Niraula M
名古屋工大
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玉木 秀和
静岡大学電子工学研究所
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藤安 洋
静岡大学工学部
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冨田 誠
静岡大学理学部
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冨田 誠
静岡大学理学研究科:創造大学院
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三村 秀典
The Research Institute Of Electronics Shizuoka University
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根尾 陽一郎
静岡大学 電子工学研究所
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ニラウラ マダン
名古屋工大 大学院
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ニラウラ マダン
名古屋工業大学工学部
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森田 元彦
Central Electrochemical Research Institute
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碇 寛
静岡大学教育学部
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Wickramanayaka Sunil
静岡大 電子工研
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Wickramanayaka S
Anelva Corporation
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ウィクラマナヤカ スニル
静岡大学電子工学研究所
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スニル ウィクラマナヤカ
静岡大学 電子工学研究所
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平木 博久
静岡大学電子工学研究所:ダイヤライトジャパン株式会社
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羽場 方紀
ダイヤライトジャパン株式会社
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藤安 洋小
静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科
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内田 龍男
東北大学大学院工学研究科
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奥村 治彦
(株)東芝研究開発センター
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金子 節夫
NEC液晶テクノロジー株式会社
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下平 美文
静岡大学創造科学技術大学院
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内池 平樹
佐賀大学
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服部 励治
九州大学大学院システム情報科学研究院
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山崎 映一
元日立製作所
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以西 雅章
静岡大学工学部
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下村 康夫
三菱化学科学技術研
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北村 健
ミノルタ株式会社研究開発本部
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服部 励治
九州大学大学院システム情報科学府
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安田 俊一
静岡大学工業短期大学部
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内池 平樹
広島大学工学部
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荻田 正巳
静岡大学工業短期大学部
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田中 郁雄
静岡大学工業短期大学部
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中島 宏佳
静岡大学 電子科学研究科
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野田 大ニ
静岡大学大学院電子科学研究科
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内田 龍男
東北大学工学研究科
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Kottaisamy M.
静岡大学 電子工学研究所
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藤波 達雄
静岡大
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服部 励治
九州大学産学連携センター プロジェクト部門
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青木 徹
静岡大学 電子工学研究所
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下平 美文
静岡大学工学部
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山崎 貴久
静岡大学 電子工学研究所
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下平 美文
静岡大学電子科学研究科
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島岡 五朗
The University of New South Wales
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文 宗鉉
静岡大学電子工学研究所
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吉野 正彦
三菱化学科学技術研究センター
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奥村 治彦
(株)東芝 材料・デバイス研究所
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国府田 修一
静岡大学
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下平 美文
静岡大
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渡辺 圭紀
静岡大学電子工学研究所
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鈴木 正和
静岡大学電子工学研究所
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纐纈 直行
静岡大学 電子工学研究所
-
纐纈 直行
静岡大学電子工学研究所
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立岡 浩一
静岡大学電子科学研究科
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桑原 弘
静岡大学電子科学研究科
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芝 文広
静岡大学電子工学研究所
-
芝 文広
静岡大学 電子工学研究所・工学部
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中村 高遠
静岡大学 電子工学研究所・工学部
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伊藤 達也
静岡大学電子工学研究所
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M Kottaisamy
静岡大学サテライト・ベンチャービジネス・ラボラトリー
-
M Mohan
Central Electrochemical Research Institute
-
森田 元彦
静岡大学電子工学研究所
-
木下 治久
静岡大学電子工学研究所
-
東 直人
静岡大学 工学部
-
Kottaisamy M.
静岡大学SVBL
-
M Kottaisamy
静岡大学SVBL
-
Kottaisamy M
静岡大学サテライトベンチャービジネスラボラトリー
-
掘河 敬司
静岡大学電子工学研究所
-
内田 龍男
東北大学大学院
-
尾関 芳孝
静岡大学電子工学研究所
-
島岡 五朗
静岡大学電子工学研究所
-
M.mohan Rao
Central Electrochemical Research Institute
-
荻田 正巳
静岡大 工
-
D. Jeyakumar
Central Electrochemical Research Institute
-
高木 将実
ハリソン東芝ライティング(株)
-
白鳥 硬次
静岡大学電子工学研究所
-
文 宗絃
静岡大学電子工学研究所
-
瀧川 義史
静岡大学電子工学研究所
-
大木 祐也
静岡大学電子工学研究所
-
平木 博久
ダイアライトジャパン株式会社
-
羽場 方紀
ダイアライトジャパン株式会社
著作論文
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- この40年のディスプレイ技術の変遷と将来展望について(電子ディスプレイ,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法を用いて合成した近紫外線励起用赤色蛍光体La_2O_2S:Euの発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ技術の進展)
- AS-3-6 広色域実現を目指した蛍光体の研究(AS-3.イメージメディアクオリティの基盤技術,シンポジウムセッション)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 液体状態のホール効果測定と磁界による不要信号
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 有機薄膜EL素子の発光特性のITO表面処理依存性
- 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- EID2000-11 緑色発光SrGa_2S_4:Eu薄膜の発光特性
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果
- 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
- 燃焼法による蛍光体の合成
- Y_2O_2S : Eu^赤色微粒子蛍光体の合成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnS薄膜の酸化によるエピタキシャルZnO薄膜の形成と励起子発光
- Si基板上ZnOエピタキシャル薄膜の形成と励起子発光特性
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- フレッシュパーソン12-8 Si基板上にエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 18-2 電子ビーム蒸着法により作製したZnO薄膜の発光特性
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu^薄膜蛍光体作製プロセスの低温化
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性
- SrS:Ce薄膜EL素子のアルカリ金属添加によるSr欠陥の補償効果
- Si基板上ZnSエピタキシャル薄膜のZnOへの酸化過程
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- エキシマレーザードーピング法によるp形ZnO層の形成
- Si基板上にZnSバッファ層を用いてエピタキシャル成長したZnO薄膜の発光特性
- 真空蒸着法によるZnO薄膜の作製
- 電子ビーム蒸着法で作製したZnO薄膜の発光特性
- SrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体のレーザアニール処理と電子線励起発光特性 : プロセスの低温化とその効果
- SrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性のEu濃度依存性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4薄膜蛍光体の発光特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Eu薄膜の低速電子線励起発光特性
- 二源電子ビーム蒸着法により作製したSrGa_2S_4:Eu薄膜の低速電子線励起発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 22-1 a-SiC : H/a-Si : Hヘテロ接合を用いた光電流増倍型フォトセンサーと新しいスイッチング素子
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 加圧焼成によるZnCdO粒子の作製
- ゾル-ゲル法によるZnMgO/ZnO構造粒子の作製と発光特性の評価(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- レーザアニールによるSrGa_2S_4:Eu薄膜蛍光体の作製と発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 化学気相法による六方晶BN粉末の作製(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 加圧焼成により作製したZnCdO粒子の構造及び発光特性(発光型/非発光型ディスプレイ)
- 青色発光CaS:Cu,F薄膜の発光特性
- 18-3 CaS : Cu, F薄膜の構造及び発光特性
- 青色発光CaS : Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 青色発光CaS:Cu, F薄膜の熱処理と発光特性
- 4-3 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- 多元蒸着により作製したSrSe:Ce薄膜の構造及び発光特性 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 燃焼法による蛍光体の合成
- 水素ラジカル励起MOCVD法による Si 上への ZnSe の成長
- Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
- Sr/S組成の制御によるSrS:Ce薄膜EL素子の高発光効率化
- 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して
- 共振器構造を用いた蛍光体の発光特性 : レーザ蛍光体の実現を目指して(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- 低電圧駆動ディスプレイ用微粒子蛍光体の合成
- 中速電子線励起における導電性被覆蛍光体の寿命特性
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- SrTiO_3:Pr, Al赤色蛍光体のCL特性に対するAl添加効果
- ゾル-ゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光特性
- 赤色発光SrTiO_3:PrAl蛍光体におけるAl添加効果
- ゾルーゲル法により導電処理した蛍光体の低速電子線励起発光
- 固相法で作製したZnAl_2O_4:Mn緑色蛍光体における発光特性の還元温度依存性
- フィールドエミッションランプ用緑色蛍光体の開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 高品質照明を実現する新型真空平面ランプの開発(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 近紫外励起用La_2O_2S:Eu蛍光体の作製
- 電子線励起紫外発光ZnAl2O4蛍光体の焼成条件依存性 (電子ディスプレイ)
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Eu合成における粒径制御
- クエン酸ゲル法によるLa_2O_2S:Euの合成と発光特性
- アルキルシラン単一原料を用いた原子状水素励起化学気相堆積
- 希土類付活SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- 近紫外線励起用Eu添加赤色蛍光体の作製と評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御
- Si基板上ZnMgO薄膜のレーザードーピングによる伝導性の制御(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第3報-
- ECRプラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiC薄膜の低温形成 -第1報-
- TEOS/O_2プラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第二報-
- TEOS/O_2プラズマCVDによるプラスチック材料への硬質SiO_2薄膜の低温形成 -第1報-
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- HWE法によるGaN薄膜成長と薄膜特性
- 蛍光体表面の改質による低速電子励起発光特性の向上
- 蛍光体へ被覆した導電層の膜厚と低速電子線励起発光に関する考察
- ゾル-ゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- ゾルーゲル法による蛍光体の被覆状態と発光特性の変化
- 遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
- 遷移金属付活Ga_2O_3薄膜の製法と構造及び発光特性
- 2段階気相合成GaN:Zn蛍光体の発光特性
- 2段階気相合成GaN:Zn蛍光体の発光特性
- 2段階気相合成GaN:Zn蛍光体の発光特性(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Y_2O_3:Tb薄膜の低速電子線励起発光特性の基板依存性
- 希土類添加Y_2O_3薄膜の低速電子線励起発光
- 希土類添加Y_2O_3薄膜の低速電子線励起発光
- フレッシュパーソン12-9 青色発光Y_2O_3:Tm薄膜のカソードルミネッセンス
- ZnS:Tm,F薄膜の電荷補償 : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- 集積型EL素子の作製と発光特性
- ZnO-Al_2O_3:Mn蛍光体の電子線励起発光特性
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製
- 化学気相法によるGaN系ナノ構造埋め込み型粒子の作製
- Si基板上青色発光アルカリ土類硫化物薄膜EL素子の形成と発光特性
- Si基板上CaS:Cu, F薄膜ELの発光特性
- Si基板上CaS : Cu, F薄膜ELの発光特性
- Si基板上CaS:Cu,F薄膜ELの発光特性(発行型/非発行型ディスプレイ合同研究会)
- C-9-2 Si 基板上 Wet 酸化 SiO_2 膜を絶縁層とする SrS : Cu, F 薄膜 EL 素子の形成
- 青色発光(Sr_Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 青色発光(Sr_Ca_x)S:Cu,F薄膜EL素子の発光特性におけるH_2Sの効果
- (Sr_Ca_x)S:Cu,F固溶体薄膜EL素子の作成と発光特性
- 赤色発光CaS:Eu薄膜EL素子の各層界面に対する高温アニールの影響(映像入出力および一般)
- 赤色発光CaS : Eu薄膜EL素子の各層界面に対する高温アニールの影響
- 窒素リモートプラズマCVD法によるSiCxNy薄膜の形成
- スパッタ法によるa-C膜を用いたEL素子の作製
- 1-5 白色発光SrSe : Ce/ZnS : Mn積層薄膜EL素子
- SrSe:Ce/ZnS:Mn積層薄膜の白色ELとRGB化
- 均質沈殿法によって合成したY_2O_3:Eu赤色蛍光体のモフォロジー及び発光特性に対する焼結の効果
- ディスプレイ用光源・デバイス総論(ディスプレイ用光源及びデバイスの最新技術)
- 1-9 CCDラインセンサとレーザスキャナを用いた三次元形状計測
- 3-11 CCDラインセンサとレーザスキャナを用いた三次元形状計測
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器(画像変換技術)
- エキシマレーザープロセッシングによるCdTe高エネルギー放射線マルチピクセル検出器
- N^+-i-p^+光導電層を用いた液晶空間光変調素子 : 情報入力,情報ディスプレイ
- CdZnTe系化合物半導体のエピタキシャル成長と窒素ラジカルドーピング
- 赤色発光(Sr_Ba_x)S:Eu薄膜EL素子の作製(ディスプレイに関する技術全般 : LCD(バックライトを含む), PDP, 有機/無機EL, CRT, FED, VFD, LEDなどのディスプレイに関するデバイス, 部品・材料及び応用技術, 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸ゲル法により作製した希土類付活Zn-Y-O粉末蛍光体の評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- クエン酸-ゲル法による赤色発光Y_2O_2S:Eu蛍光体の合成 : Na_2S_2O_3を用いた硫化による微粒子化(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜のCe濃度と発光特性
- SrS:Cu,F薄膜EL素子の発光特性
- SrS:Cu, F薄膜EL素子の発光特性
- CaS:Cu, F薄膜の熱処理とEL特性
- C-9-3 CaS:Cu,F薄膜のアニールと発光特性
- 青色発光SrS:Cu,F薄膜EL素子のCu濃度依存性
- PPVを配位子とした(π-アレーン)ルテニウム錯体の発光特性
- 4-2 有機EL素子の発光特性に及ぼすTPD薄膜の構造特性の影響
- リモートプラズマMOCVDによるCdZnTeのエピタキシャル成長とドーピング法
- 固相合成ZnAl_2O_4:Mn蛍光体における発光特性の作製条件依存性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- 4-1 集積型薄膜EL素子の作製
- Si基板上のEL素子の集積化
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果
- C-9-6 ナノ構造埋込蛍光体粒子の提案と気相法による作製の試み(C-9.電子ディスプレイ,一般講演)
- 4-5 ゾル-ゲル法による蛍光体の発光特性改善
- Euを発光中心とするY_2O_3,Y_2O_2Sの薄膜のエレクトロルミネセンス
- Euを添加したY_2O_3,Y_2O_2S薄膜のエレクトロルミネセンス : 発光型ディスプレイ関連 : 情報ディスプレイ
- CaS : Cu, F薄膜の構造とEL特性
- 多元蒸着法による青色発光EL用CaGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- 多元蒸着法により作製したSrGa_2S_4 : Ce薄膜の構造及び発光特性 : 供給比、堆積速度、熱処理依存性
- 4-2 青色発光EL用CaGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- 青色発光SrG_2S_4 : Ce薄膜の低速電子線発光におけるH_2S処理の効果
- 4-1 青色発光SrGa_2S_4 : Ce薄膜の作製
- Si基板上へのCaS:Cu,F薄膜EL素子の形成(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Si基板上へのCaS:Cu,F薄膜EL素子の形成
- Si基板上へのCaS : Cu, F薄膜EL素子の形成
- (Sr_Ca_x)S:Cu, F固溶体薄膜の発光特性と組成比との関係
- (Sr_Ca_x)S:Cu, F固溶体薄膜の発光特性と組成比との関係
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性(発光型・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- MnまたはPr添加SrGa_2S_4蛍光体薄膜の発光特性
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
- Siで作製したコーン型フィールドエミッタを用いたSrGa_2S_4:Eu蛍光体薄膜の発光特性
- Zn添加酸化物蛍光体の作製と低速電子線励起発光特性
- ゾル-ゲル法によるZn添加Y_2O_3:Eu微粒子蛍光体の合成と評価
- 25-1 赤色発光SrTiO_3:Pr,Al蛍光体の発光特性と作製条件との関係
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製と電子線励起発光特性
- フッ化物薄膜EL素子の構造と発光特性 : 情報ディスプレイ
- フッ化物薄膜EL素子の構造と発光特性
- 多元蒸着法による青色発光SrGa_2S_4:Ce薄膜の作製及び構造と発光特性
- SrGa_2S_4:Ce薄膜の低速電子線励起発光
- PCEL素子のメモリ動作機構 : 情報ディスプレイ
- 4-1 メモリ機能を有するEL表示素子の動作解析
- GaN系多層構造粒子の作製(ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術,発光・非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Na_2S_2O_3フラックスを用いたY_2O_2S : Eu^赤色蛍光体の作製
- Na_2S_2O_3フラックスを用いたY_2O_2S:Eu^赤色蛍光体の作製
- 広色域ディスプレイ用蛍光体の作製(表示記録用有機材料及びデバイス・一般)