以西 雅章 | 静岡大学工学部

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• 以西 雅章

  静岡大学工学部

• 以西 雅章

  静岡大学工学研究科

• 以西 雅章

  静岡大 工

• 以西 雅章

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 藤安 洋

  静岡大学工学部

• 藤安 洋

  静岡大学工学部電子工学科

• 藤安 洋小

  静岡大学大学院電子科学研究科:静岡大学工学部電気電子工学科

• 倉地 雄史

  静岡大学工学研究科

• 細川 貴之

  静岡大学工学研究科

• 山田 典史

  静岡大学大学院工学研究科

• 中村 光宏

  静岡大学工学研究科

• 藤安 洋

  静岡大 工

• 中村 功一

  静岡大学工学研究科

• 茅野 真也

  静岡大学工学研究科

• 藤安 洋

  静岡大

• 藤安 洋

  静岡大学大学院電子科学研究科

• 長南 祐史

  静岡大学理工学研究科

• 細江 俊介

  静岡大学工学部

• 酒井 里

  静岡大学工学部

• 山田 典史

  静岡大学工学研究科

• 宝珍 敬志

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 堀内 郁志

  静岡大学工学研究科

• 板倉 巧周

  静岡大学工学部

• 堀野 友良

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 堀野 友良

  静岡大学工学部

• 宝珍 敬志

  静岡大学工学部

• 丹羽 彬夫

  静岡大学工学研究科

• 東條 靖

  静岡大学工学部

• 立井 友浩

  静岡大学工学部

• 伊藤 泰充

  スズキ(株)都田電子技術研究開発センター

• 伊藤 泰充

  Miyakoda Electronics Technical Center Suzuki Motor Corporation

• 永塩 豊

  静岡大学工学部

• 清水 寛俊

  静岡大学理工学研究科

• 山本 貴弘

  静岡大学工学研究科

• 市川 裕士

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Shizuoka University

• 石野 健英

  静岡大学工学部

• 石野 建英

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 加藤 卓

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 武内 俊憲

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 稲垣 優輝

  静岡大学理工学研究科

• 関川 智士

  静岡大学工学部

• 山口 直哉

  静岡大学工学部

• 河村 義彦

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 笠井 崇史

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 板倉 功周

  静岡大学工学部電気電子工学科

• 倉地 雄史

  静岡大学大学院工学研究科

• 倉地 雄史

  静岡大学理工学研究科

• 市川 裕士

  静岡大学工学部

• 笠井 崇史

  静岡大学大学院理工学研究科、工学部

• 松井 才明

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 島田 剛喜

  静岡大学工学部電気・電子工学科

• 島田 剛喜

  静岡大学工学部電気・電子工学料

• 市川 哲章

  静岡大学理工学研究科

• 清水 寛俊

  静岡大学理工学研究科工学部

• 上木原 浩輝

  静岡大学工学部

• 鈴木 嘉文

  静岡大学工学部

• 池田 紘基

  静岡大学工学部

• 野口 貴史

  静岡大学工学研究科

• 安田 俊一

  静岡大学工業短期大学部

• 荻田 正巳

  静岡大学工業短期大学部

• 荻田 正巳

  静岡大 工

• 山口 克馬

  静岡大学工学部

• 中西 洋一郎

  静岡大学電子工学研究所

• 江上 力

  静岡大学工業短期大学部

• 田中 郁雄

  静岡大学工業短期大学部

• 江上 力

  静岡大学 工学部

• 中村 隆幸

  静岡大学工学部

• 高橋 博信

  Department of Electrical and Electronic Engineering, Shizuoka University

• 島田 剛嘉

  静岡大学工学部

• 森元 圭一郎

  静岡大学工学部

• 高橋 博信

  静岡大学工学部

• 西田 英治

  静岡大学工学部

• 高橋 博信

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Shizuoka University

• 本田 真士

  静岡大学工学部

• 田中 郁雄

  静岡大 工短大

• 鳥井 琢磨

  静岡大学工学部

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著作論文

• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ポーラスシリコン層のSEM観察
• 液体状態のホール効果測定と磁界による不要信号
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 (シリコン材料・デバイス)
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 (電子デバイス)
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga2O3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• C-6-9 Mn反応性蒸着過程のるつぼと基板間の距離依存性
• C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化
• C-6-12 スピネル構造Mn酸化物薄膜における反応性蒸着の再現性
• 反応性蒸着過程における Mn 酸化物薄膜組成のその場制御
• Li2次電池用Mn酸化物薄膜の生成
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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