青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
青色発光EL素子の高輝度化を目的として、電子線蒸着法によりSrS:Cu薄膜を生成した。SrS:Cu粉末を錠剤状に成型して蒸発物とした。本研究では、錠剤の焼成条件と生成したSrS:Cu薄膜の結晶特性の相関を調べた。その結果、600℃、2時間の焼成により、優れた薄膜が生成できることが分かった。
- 2007-05-17
著者
-
以西 雅章
静岡大学工学部
-
以西 雅章
静岡大 工
-
倉地 雄史
静岡大学工学研究科
-
堀野 友良
静岡大学工学部電気電子工学科
-
倉地 雄史
静岡大学理工学研究科
-
堀野 友良
静岡大学工学部
-
以西 雅章
静岡大学工学研究科
関連論文
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ポーラスシリコン層のSEM観察
- 液体状態のホール効果測定と磁界による不要信号
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 (シリコン材料・デバイス)
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査 (電子デバイス)
- 液体・固体状態における電気伝導のダイナミクス (強磁場下の物性の研究)
- 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- 急速アニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の向上
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga2O3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-6-9 Mn反応性蒸着過程のるつぼと基板間の距離依存性
- C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化
- C-6-12 スピネル構造Mn酸化物薄膜における反応性蒸着の再現性
- 反応性蒸着過程における Mn 酸化物薄膜組成のその場制御
- Li2次電池用Mn酸化物薄膜の生成
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaO酸素センサの作製と評価 (電子デバイス)
- GaO酸素センサの作製と評価 (電子部品・材料)
- GaO酸素センサの作製と評価 (シリコン材料・デバイス)
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))