RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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RFマグネトロンスパッタリング法により、Li二次電池正極用のLiMn_2O_4薄膜を生成している。本研究では、薄膜の生成条件を調査した。変数を蒸着時間、RF電力、スパッタリング圧力、スパッタリング雰囲気とし、Al基板上にターゲット物質であるLiMn_2O_4を堆積させ、X線回折により生成物質を同定した。薄膜の膜厚は、蒸着物比重から算出した。その結果、膜厚や蒸着速度は、蒸着時間、RF電力に比例し、スパッタリング圧力、スパッタリング雰囲気によって規則的に変化することがわかった。これらのことから、薄膜を最も効率的に生成する条件が得られた。
- 2010-05-06
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