TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• RFマグネトロンスパッタリング法により生成した酸化チタン薄膜に白金を担持させ、光触媒特性を比較・評価した。白金を助触媒として担持すると有機物分解特性は向上するが、白金粒子は疎水性であるために担持しすぎると親水特性を低下させてしまう。本研究では白金担持用イオンコーターに金属製メッシュを用いて白金堆積速度を抑え、親水特性を妨げずに有機物分解特性を向上させることができた。また、最も有機物分解特性が高くなる白金担持量を確認することができた。

• 2011-05-12

著者

• 星 陽一

  東京工芸大学工学部

• 以西 雅章

  静岡大学大学院工学研究科

• 中村 郁太

  静岡大学大学院工学研究科

• 星 陽一

  東京工芸大学工学部システム電子情報学科

• 佐藤 孝紀

  静岡大学工学部

• 星 陽一

  東京工芸大学 工学部 システム情報学科

• 以西 雅章

  静岡大学工学研究科

• 以西 雅章

  静岡大学大学院 工学研究科

関連論文

• 室温にてスパッタ法により作製したAZO薄膜の特性の検討 (電子部品・材料)
• SBD法を用いたAZO薄膜作製における特性の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
• 反応性高速スパッタ法により作製したTiO_2薄膜の構造と光触媒特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタ法による磁気記録媒体用Cr下地膜の微細構造制御法の検討
• 対向ターゲットスパッタプラズマ中のAr IとTi Iのレーザ分光計測
• CoFeB/MgO/CoFeB磁気トンネル接合におけるアモルファスCoFeBの結晶化過程
• Arイオン衝撃によるITO薄膜への効果の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
• 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 公開講演会の紹介および体験展示における磁気を使ったおもちゃ
• 2スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO_2薄膜の高速堆積(薄膜プロセス・材料,一般)
• 基板バイアススパッタ法によるITO薄膜の検討(II)
• プラスチック基板上へのITO薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• スパッタ法によるAZO薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• プラズマアシスト電子ビーム蒸着法によるTiO_2薄膜の高速成膜
• スパッタビーム堆積法によるZnO薄膜の作製及び検討
• CS-6-2 スパッタ成膜中の基板温度上昇の抑制と低温での酸化促進法の検討(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
• 有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討(薄膜プロセス・材料, 一般)
• 低電圧スパッタ法によるYBCO薄膜の作製及び評価(薄膜プロセス・材料, 一般)
• パルススパッタ法を用いた薄膜作製プロセスの検討(薄膜プロセス・材料, 一般)
• イオンビームアシスト蒸着法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(電子部品・材料, 及び一般)
• C-6-9 ターゲット-基板間距離によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
• C-6-8 ITOスパッタ膜堆積中のシールドリングからの輻射熱による入射熱量(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
• スパッタ法によるTiO_2薄膜の高速成膜法の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
• ITOスパッタ膜堆積時の基板加熱の抑制
• 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
• 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
• 原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製
• S層R層交互積層膜の熱処理によるBaフェライト薄膜の作製
• 原子層成長法によるC軸配向Baフェライト薄膜の作製
• 原子層成長法によるC軸配向Baフェライト薄膜の構造と磁気特性
• ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果(電子材料)
• ITOスパッタ膜堆積中の基板入射熱量とその抑制法(薄膜プロセス・材料,一般)
• スパッタ法によるフィルム基板上への透明導電膜の作製(電子部品・材料, 及び一般)
• ITO透明導電膜の低温成膜における水蒸気の効果
• 対向ターゲット式スパッタ法によるITO透明導電膜の低温高速成膜
• スパッタ法を用いた有機EL素子用低温ITO薄膜の検討(薄膜プロセス・材料,一般)
• スパッタ法により作製したパーマロイ薄膜の機械的特性
• スパッタパーマロイ薄膜の付着力
• RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 室温にてスパッタ法により作製したAZO薄膜の特性の検討
• 垂直磁気記録用Baフェライト薄膜
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 鉄-コバルト多層膜の磁気特性
• 応用物性
• C-6-5 TiO_2薄膜の反応性スパッタにおける堆積速度減少の機構について(C-6.電子部品・材料)
• 低電圧スパッタ法によるFe薄膜の構造と磁気特性
• 偏光解析法を用いたAgスパッタ薄膜の初期成長過程の考察
• スパッタ法によるTiO_2薄膜堆積中の基板入射粒子の観察
• 低温成膜したITO薄膜の微細構造
• スパッタビーム堆積法によるITO薄膜の低温成膜
• 対向ターゲット式超高真空スパッタ装置を用いたAg薄膜初期成長過程の検討
• 6)原子層積層法による六方晶バリウムフェライト薄膜の作製(画像情報記録研究会)
• 酸素含有カーボンスパッタ薄膜の諸特性
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• バリウムフェライト薄膜媒体の微粒子化
• バリウムフェライト薄膜媒体の微粒子化
• 六方晶バリウムフェライト薄膜用ZnO下地膜の構造制御
• 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性
• 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性
• 原子層積層法によるc軸配向Baフェライト超薄膜の作製
• 原子層積層法によるc軸配向Baフェライト超薄膜の作製
• 原子層積層法によるBaフェライト薄膜の作製 : 下地層による結晶性の制御
• 原子層積層法によるBaフェライト薄膜の作製 -下地層による結晶性の制御-
• 液体窒素温度でスパッタ堆積した窒素添加鉄薄膜
• スパッタ法によるITO薄膜の低温成膜法の検討
• CPM2000-78 低電圧スパッタ法により成膜したITO薄膜の熱処理効果
• (111)配向ZnFe_2O_4下地膜上に堆積したBaM薄膜の微細構造
• 各種希ガスを用いて作製したITOスパッタ薄膜の諸特性
• (111)配向ZnFe_2O_4下地膜上に堆積したBaM薄膜の微細構造
• 液体窒素温度でスパッタ堆積したCoおよびFe薄膜
• スパッタ法によるITO薄膜の低温成膜法の検討
• スパッタビーム堆積法による薄膜形成
• 低エネルギースパッタ法によるITO薄膜の作製
• 液体窒素温度製膜Niスパッタ薄膜の構造と磁気特性
• スパッタ法による磁性薄膜堆積過程のシミュレーション
• スパッタガス圧によるバリウムフェライト薄膜の組成変化の機構
• 対向ターゲット式スパッタ法により得られる薄膜の微細構造の計算機シミュレーション
• 対向ターゲット式スパッタ法によるDLC薄膜の作製
• TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• スパッタ法による超高密度DLC薄膜の作製
• イオンビームスパッタ法によるFe-Co系薄膜の作製とその磁気特性
• TiO_2薄膜の光触媒特性向上のための助触媒効果(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• TiO_2薄膜の光触媒特性向上のための助触媒効果(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• TiO_2薄膜の光触媒特性向上のための助触媒効果(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• CuとFeを担持したTiO_2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• CuとFeを担持したTiO_2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• CuとFeを担持したTiO_2スパッタ薄膜の光触媒特性の評価(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク