基板バイアススパッタ法によるITO薄膜の検討(II)
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概要
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本研究では,高エネルギー粒子を抑制できるRF-DC結合形スパッタ法に,基板バイアススパッタ法を組み合わせる方法を用いて,低温でITO膜を結晶化させる方法の検討するために,この方法における酸素分圧の効果について検討を行った。その結果,基板にバイアス電圧を印加しても,膜作製時の到達最高基板温度は50℃程度であった。また,基板にバイアス電圧を印加することにより,どの酸素分圧においても,小さいながら,In_2O_3結晶からの回折ピークが観測することができた。しかし,低抵抗率のITO膜を得ることができなかった。酸素反応性ガスを導入することで,可視光領域において約80%以上の透過率が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-02
著者
-
岩野 春男
新潟大学工学部
-
丸山 武男
新潟大学工学部
-
清水 英彦
新潟大 工
-
星 陽一
東京工芸大学工学部
-
清水 英彦
新潟大学大学院自然科学研究科
-
梅津 岳
新潟大学大学院自然科学研究科
-
中田 悠介
新潟大学大学院自然科学研究科
-
丸山 武男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
星 陽一
東京工芸大学工学部システム情報学科
-
清水 英彦
新潟大学
-
星 陽一
東京工芸大学工学部システム電子情報学科
-
丸山 武男
新潟大学
-
星 陽一
東京工芸大学 工学部 システム情報学科
-
中田 悠介
筑波大学情報学群情報メディア創成学類
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