有機EL素子用ITO薄膜の作製と検討(薄膜プロセス・材料, 一般)

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概要

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• 透明有機EL素子用のITO薄膜の低温作製を検討するために, RF-DC結合型スパッタ法を用いてITO薄膜を作製した。その結果, 50℃以下の低温でITO膜の作製が可能であった。また, この方法により作製したITO膜は, 全てアモルファスであり, 膜の表面粗さが1nm以下, 仕事関数が約4.8eV, 抵抗率が約5×10^<-4>Ω・cmの値を示した。RF-DC結合型スパッタ法により作製したITO膜を有機EL素子の陽極電極として使用した場合, 市販のネサガラスを使用した場合に比べ, 素子特性は劣るものの, この方法で作製したITO薄膜を陽極電極に適用しても発光を確認することができた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-11-05

著者

• 清水 英彦

  新潟大学工学部電気電子工学科

• 丸山 武男

  新潟大学工学部

• 竹内 正樹

  新潟大学大学院自然科学研究科

• 川上 貴浩

  新潟大学工学部

• 清水 英彦

  新潟大 工

• 星 陽一

  東京工芸大学工学部

• 竹内 正樹

  新潟大学工学部電気電子工学科

• 森下 和哉

  新潟大学大学院自然科学研究科

• 槻尾 浩一

  新潟大学自然科学研究科

• 竹内 正樹

  新潟大学自然科学研究科

• 森下 和哉

  新潟大学自然科学研究科

• 清水 英彦

  新潟大学工学部

• 星 陽一

  東京工芸大学 工学部 システム情報学科

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